[发明专利]基于水平激光照射的晶圆减薄设备及方法在审
申请号: | 201611261713.9 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN108269738A | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 三重野文健 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/67;B23K26/362 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 减薄 晶圆 激光发射装置 静电吸盘 减薄设备 水平激光 照射 透镜 水平激光束 控制装置 侦测装置 激光束 发射 吸附 耗时 汇聚 | ||
1.一种基于水平激光照射的晶圆减薄设备,其特征在于,包括:
静电吸盘,适于吸附待减薄晶圆;
激光发射装置,位于静电吸盘一侧,且与所述静电吸盘具有间距;所述激光发射装置适于发射水平激光束;
透镜,位于所述静电吸盘与所述激光发射装置之间,且与所述静电吸盘及所述激光发射装置均具有间距;所述透镜适于将所述激光发射装置发射的水平激光束水平汇聚于所述待减薄晶圆的边缘以对所述待减薄晶圆进行减薄。
2.根据权利要求1所述的基于水平激光照射的晶圆减薄设备,其特征在于:所述静电吸盘包括射频电极。
3.根据权利要求1所述的基于水平激光照射的晶圆减薄设备,其特征在于:所述激光发射装置发射的水平激光束的波长为500nm~600nm,最大功率为300W;所述水平激光束为脉冲激光束,每个脉冲持续的时间为150ns~400ns。
4.根据权利要求1所述的基于水平激光照射的晶圆减薄设备,其特征在于:所述基于水平激光照射的晶圆减薄设备还包括冷却装置,所述冷却装置设置于所述静电吸盘上,适于在激光束对所述待减薄晶圆进行减薄时为所述待减薄晶圆及所述静电吸盘冷却降温。
5.根据权利要求1所述的基于水平激光照射的晶圆减薄设备,其特征在于:所述基于水平激光照射的晶圆减薄设备还包括驱动装置,所述驱动装置与所述静电吸盘相连接,适于驱动所述静电吸盘以带动所述待减薄晶圆上下运动或/及旋转运动。
6.根据权利要求5所述的基于水平激光照射的晶圆减薄设备,其特征在于:所述基于水平激光照射的晶圆减薄设备还包括厚度侦测装置,适于实时侦测所述待减薄晶圆的厚度。
7.根据权利要求6所述的基于水平激光照射的晶圆减薄设备,其特征在于:所述基于水平激光照射的晶圆减薄设备还包括控制装置,所述控制装置与所述激光发射装置、所述驱动装置及所述厚度侦测装置相连接,适于依据所述厚度侦测装置侦测的结果实时调节所述激光发射装置发射的水平激光束的参数及所述驱动装置对所述静电吸盘的驱动。
8.一种基于水平激光照射的晶圆减薄方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)将待减薄晶圆吸附于静电吸盘上;
2)使用激光发射装置向所述待减薄晶圆发射水平激光束,并使用透镜将所述水平激光束水平汇聚于所述待减薄晶圆边缘以对所述待减薄晶圆进行减薄。
9.根据权利要求8所述的基于水平激光照射的晶圆减薄方法,其特征在于:步骤2)中,所述激光发射装置发射的水平激光束的波长为500nm~600nm,最大功率为300W;所述水平激光束为脉冲激光束,每个脉冲持续的时间为150ns~400ns。
10.根据权利要求8所述的基于水平激光照射的晶圆减薄方法,其特征在于:步骤2)中,对所述待减薄晶圆进行减薄的同时,使用冷却装置对所述待减薄晶圆及所述静电吸盘进行冷却降温。
11.根据权利要求8所述的基于水平激光照射的晶圆减薄方法,其特征在于:步骤2)中,在对所述待减薄晶圆进行减薄的过程中,使用驱动装置驱动所述静电吸盘以带动所述待减薄晶圆上下运动或/及旋转运动。
12.根据权利要求11所述的基于水平激光照射的晶圆减薄方法,其特征在于:步骤2)中,所述待减薄晶圆旋转的速度为30rpm~3000rpm。
13.根据权利要求11所述的基于水平激光照射的晶圆减薄方法,其特征在于:步骤2)中,对所述待减薄晶圆进行减薄的同时,使用厚度侦测装置实时侦测所述待减薄晶圆的厚度。
14.根据权利要求13所述的基于水平激光照射的晶圆减薄方法,其特征在于:步骤2)中,对所述待减薄晶圆进行减薄的同时,依据所述厚度侦测装置侦测的结果,使用控制装置实时调节所述激光发射装置发射的水平激光束的参数及所述驱动装置对所述静电吸盘的驱动。
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