[发明专利]一种具有选择性滤波特性的自旋波起偏器有效
申请号: | 201611261990.X | 申请日: | 2016-12-31 |
公开(公告)号: | CN106653997B | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 余伟超;兰金;肖江 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L43/00 | 分类号: | H01L43/00;H01L43/10 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 选择性 滤波 特性 自旋 波起偏器 | ||
1.一种具有选择性滤波特性的自旋波起偏器,其特征在于,是在具有DMI效应的反铁磁材料或人工反铁磁结构上构造的磁结构,利用磁畴壁对不同偏振自旋波的通过率不同实现调制自旋波偏振状态的功能;所述磁结构为一垂直磁化的反铁磁纳米线,该纳米线中存在两块相反磁取向的磁畴以及在磁畴之间自然形成的磁畴壁;自旋波从纳米线的一端输入,通过磁畴壁后从纳米线的另一端输出;其中偏振方向平行于x方向的自旋波定义为“x偏振自旋波”,偏振方向平行于y方向的自旋波定义为“y偏振自旋波”。
2.如权利要求1所述的自旋波起偏器,其特征在于,对于偏振状态的选择特性依赖于DMI的具体形式:当DMI效应为体DMI效应时,磁畴壁的种类为布洛赫壁,此时自旋波起偏器选择性输出与磁畴壁平行的偏振状态,即Y方向线偏自旋波;当DMI效应为界面DMI效应时,磁畴壁的种类为奈尔壁,此时自旋波起偏器会选择性输出与磁畴壁平行的偏振状态,即X方向线偏自旋波。
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