[发明专利]一种量子点薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201611262007.6 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN108269935A 公开(公告)日: 2018-07-10
发明(设计)人: 刘政;杨一行;曹蔚然;钱磊 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;B82Y30/00
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 量子点 薄膜 能级 量子点结构 组分结构 制备 半导体器件 重量百分比 宽度变化 宽度一致 器件性能 电学 渐变 成膜 均一 排布 合金
【权利要求书】:

1.一种量子点薄膜,其特征在于,按重量百分比计,包括如下组分:

量子点:0.01-40.0%;所述量子点包括至少一个在径向方向上依次排布的量子点结构单元,所述量子点结构单元为径向方向上能级宽度变化的渐变合金组分结构或径向方向上能级宽度一致的均一组分结构;

分散量子点的介质:60.0-99.99%。

2.根据权利要求1所述的量子点薄膜,其特征在于,所述量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构,且在径向方向上相邻的量子点结构单元的能级是连续的。

3.根据权利要求1所述的量子点薄膜,其特征在于,所述量子点包括至少三个在径向方向上依次排布的量子点结构单元,其中,所述至少三个量子点结构单元中,位于中心和表面的量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构,且在径向方向上相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的;位于中心和表面的量子点结构单元之间的一个量子点结构单元为均一组分结构。

4.根据权利要求1所述的量子点薄膜,其特征在于,所述量子点包括两种类型的量子点结构单元,其中一种类型的量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构,另一种类型的量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越窄的渐变合金组分结构,所述两种类型的量子点结构单元沿径向方向依次交替分布,且在径向方向上相邻的量子点结构单元的能级是连续的。

5.根据权利要求1所述的量子点薄膜,其特征在于,所述量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构,且相邻的量子点结构单元的能级是不连续的。

6.根据权利要求1所述的量子点薄膜,其特征在于,所述量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越窄的渐变合金组分结构,且相邻的量子点结构单元的能级是不连续的。

7.根据权利要求1所述的量子点薄膜,其特征在于,所述量子点包括两种量子点结构单元,其中一种量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构,另一种量子点结构单元为均一组分结构,所述量子点的内部包括一个或一个以上的渐变合金组分结构的量子点结构单元,且在径向方向上相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的;所述量子点的外部包括一个或一个以上的均一组分结构的量子点结构单元。

8.根据权利要求1所述的量子点薄膜,其特征在于,所述量子点包括两种量子点结构单元,其中一种量子点结构单元为均一组分结构,另一种量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构,所述量子点的内部包括一个或一个以上的均一组分结构的量子点结构单元,所述量子点的外部包括一个或一个以上的渐变合金组分结构的量子点结构单元,且在径向方向上相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的。

9.根据权利要求1所述的量子点薄膜,其特征在于,所述量子点结构单元为包含II族和VI族元素的渐变合金组分结构或均一合金组分结构。

10.根据权利要求1所述的量子点薄膜,其特征在于,所述每个量子点结构单元均包括2-20层单原子层,或者所述每个量子点结构单元包含1-10层的晶胞层。

11.根据权利要求1所述的量子点薄膜,其特征在于,所述量子点的发光峰波长范围为400纳米至700纳米。

12.根据权利要求1所述的量子点薄膜,其特征在于,所述量子点的发光峰的半高峰宽为12纳米至80纳米。

13.根据权利要求1-12任一项所述的量子点薄膜,其特征在于,所述介质包括至少一种高分子材料。

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