[发明专利]具有量子阱能级结构的纳米晶体、制备方法及半导体器件

权利要求书

1.一种具有能级结构的纳米晶体，其特征在于，包含S个位于纳米晶体中心的中心结构单元和N个位于纳米晶体中心外并依次排布的环绕结构单元，其中，S≥1，N≥1，所述中心结构单元和环绕结构单元均为量子点结构单元，所述中心结构单元和环绕结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，且在径向方向上相邻的量子点结构单元的能级是连续的。

2.根据权利要求1所述的纳米晶体，其特征在于，所述中心结构单元和环绕结构单元均包括2-20层单原子层，或者所述中心结构单元和环绕结构单元均包括1-10层的晶胞层。

3.根据权利要求1所述的纳米晶体，其特征在于，所述中心结构单元为包含II族和VI族元素的渐变合金组分结构或均一合金组分结构，所述环绕结构单元为包含II族和VI族元素的渐变合金组分结构或均一合金组分结构。

4.根据权利要求1所述的纳米晶体，其特征在于，所述纳米晶体的发光峰波长范围为400纳米至700纳米。

5.根据权利要求1所述的纳米晶体，其特征在于，所述纳米晶体的发光峰的半高峰宽为12纳米至80纳米。

6.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的纳米晶体。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为电致发光器件、光致发光器件、太阳能电池、显示器件、光电探测器、生物探针以及非线性光学器件中的任意一种。

8.一种具有能级结构的纳米晶体，其特征在于，包含S个位于纳米晶体中心的中心结构单元和N个位于纳米晶体中心外并依次排布的环绕结构单元，其中，S≥1，N≥1，所述中心结构单元和环绕结构单元均为量子点结构单元，所述中心结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，所述N个环绕结构单元由M个第一环绕结构单元以及（N-M）个第二环绕结构单元组成，所述M个第一环绕结构单元为径向方向上能级宽度一致的均一组分结构，所述（N-M）个第二环绕结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构；且至少有一个第一环绕结构单元位于第二环绕结构单元与中心结构单元之间，在径向方向上相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的。

9.根据权利要求8所述的纳米晶体，其特征在于，所述中心结构单元和环绕结构单元均包括2-20层单原子层，或者所述中心结构单元和环绕结构单元均包括1-10层的晶胞层。

10.根据权利要求8所述的纳米晶体，其特征在于，所述中心结构单元为包含II族和VI族元素的渐变合金组分结构或均一合金组分结构，所述环绕结构单元为包含II族和VI族元素的渐变合金组分结构或均一合金组分结构。

11.根据权利要求8所述的纳米晶体，其特征在于，所述纳米晶体的发光峰波长范围为400纳米至700纳米。

12.根据权利要求8所述的纳米晶体，其特征在于，所述纳米晶体的发光峰的半高峰宽为12纳米至80纳米。

13.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求8-12任一项所述的纳米晶体。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为电致发光器件、光致发光器件、太阳能电池、显示器件、光电探测器、生物探针以及非线性光学器件中的任意一种。