[发明专利]Ge-Se-Al OTS材料、OTS选通器单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201611262613.8 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106601911B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 刘广宇;宋志棠;吴良才;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ge se alots 材料 ots 选通器 单元 及其 制备 方法 | ||
1.一种Ge-Se-Al OTS材料，其特征在于：所述Ge-Se-Al OTS材料的化学通式为GexSeyAl100-x-y，其中，x、y均指元素的原子百分比，且满足40<x<60，40<y<100-x。
2.根据权利要求1所述的Ge-Se-Al OTS材料，其特征在于：所述化学通式中，满足x:y＝55:45，且Al的原子百分比满足5<100-x-y<25。
3.根据权利要求2所述的Ge-Se-Al OTS材料，其特征在于：所述化学通式中，Al的原子百分比满足5<100-x-y<10。
4.一种OTS选通器单元，其特征在于：所述OTS选通器单元自下而上依次包括一下电极层、设置于所述下电极层上的一OTS材料层、设置于所述OTS材料层上的一上电极层以及设置于所述上电极层上的一引出电极，其中，所述OTS材料层包含如权利要求1～3任意一项所述的Ge-Se-Al OTS材料。
5.根据权利要求4所述的OTS选通器单元，其特征在于：所述下电极层的材料为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的一种或两种以上所组成的材料。
6.根据权利要求4所述的OTS选通器单元，其特征在于：所述下电极层的材料为包含W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的一种的氮化物或者氧化物。
7.根据权利要求4所述的OTS选通器单元，其特征在于：所述上电极层的材料为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的一种或两种以上所组成的材料。
8.根据权利要求4所述的OTS选通器单元，其特征在于：所述上电极层的材料为包含W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的一种的氮化物或者氧化物。
9.根据权利要求4所述的OTS选通器单元，其特征在于：所述引出电极的材料为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的一种或两种以上所组成的材料。
10.根据权利要求4所述的OTS选通器单元，其特征在于：所述引出电极的材料为包含W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的一种的氮化物或氧化物。
11.一种如权利要求4～10任意一项所述的OTS选通器单元的制备方法，其特征在于：
1)形成所述下电极层；
2)在所述下电极层上形成一包含如权利要求1～3任意一项所述的Ge-Se-Al OTS材料的OTS材料层；
3)在所述OTS材料层上形成所述上电极层；以及
4)在所述上电极层上形成的所述引出电极。
12.根据权利要求11所述的OTS选通器单元的制备方法，其特征在于：制备所述下电极层、所述OTS材料层、所述上电极层及所述引出电极的方法为溅射法、蒸发法、化学气相沉积法、分子束外延法、原子气相沉积法以及原子层沉积法中的一种。
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