[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201611262843.4 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106935542A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 黄彦钧;谢博全;郑培仁;黄泰钧;李资良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体的制造方法，其特征在于，包含：
在一开口中沉积一第一介电层，该第一介电层包含一半导体元素及一非半导体元素；
在该第一介电层上沉积一半导体层，该半导体层包含与该半导体元素相同的一第一元素；
将一第二元素引入至该半导体层，其中该第二元素与该非半导体元素相同；以及
对该半导体层应用一热退火制程，以将该半导体层改变为一第二介电层。
2.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，将该第二元素引入至该半导体层包含：
在应用该热退火制程之前使用一第三元素应用一布植制程，其中该第三元素与该非半导体元素相同。
3.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，将该第二元素引入至该半导体层包含：
在该热退火制程期间使一气体通过该半导体层上方，该气体包含与该非半导体元素相同的一第四元素。
4.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，该第一介电层的该非半导体元素的一浓度比该第二介电层更大。
5.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，该第一介电层的该半导体元素与该非半导体元素的一比例为4:3。
6.一种半导体的制造方法，其特征在于，包含：
在一开口内沉积一第一氮化硅层；
在该第一氮化硅层上沉积一硅层；
将氮元素引入至该硅层；以及
对该硅层应用一热退火制程。
7.根据权利要求6所述的半导体的制造方法，其特征在于，该热退火制程是使得该硅层改变为一第二氮化硅层。
8.根据权利要求7所述的半导体的制造方法，其特征在于，该第一氮化硅层的氮浓度大于该第二氮化硅层的氮浓度。
9.一种半导体元件，其特征在于，包含：
一开口，具有比宽度更大的一深度；
一第一介电层，沉积在该开口的多个侧壁及一底部上，该第一介电层包含一半导体元素及一非半导体元素，该第一介电层经设置使得该开口的一中心具有一缝隙；以及
一第二介电层，设置于该第一介电层上及该缝隙内，该第二介电层包含与该半导体元素相同的一第一元素及与该非半导体元素相同的一第二元素；
其中该非半导体元素与该半导体元素的一比例大于该第二元素与该第一元素的一比例。
10.根据权利要求9所述的半导体元件，其特征在于，该非半导体元素与该半导体元素的一比例在该第二介电层的一中心处比该第二介电层的边缘处更大。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
