[发明专利]一种太阳能电池制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，更具体地说，涉及一种太阳能电池制备方法。

背景技术

晶体硅太阳电池工业化生产的常规工艺路线是：硅片清洗与绒面制备—扩散—刻蚀去边/去背面磷硅玻璃—沉积SiNx减反射膜—丝网印刷正反电极与背电场—烧结。其中，沉积SiNx减反射膜主要有如下作用：减反射作用，即减少太阳能电池对光的反射，提高太阳能电池的光电转换效率；表面钝化作用，即减少电池的表面复合，改善其电性能；体钝化作用，即钝化电池体内的缺陷和杂质，提高电池效率。因此SiNx减反膜在晶硅太阳能电池整个工艺制程中起到举足轻重的作用。

现有技术中，晶体硅太阳能电池的钝化膜主要是采用等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积SiN_X薄膜。由于SiN_X薄膜中的氢可释放出来，部分氢分子通过与硅中的空位结合等方式，转为氢原子或氢-空位对，掺杂进入晶硅体内，氢与晶界上的悬挂键或电池体内的其他缺陷、杂质结合，从而起到钝化晶界、缺陷或杂质的作用，有效地提升电池片的少子寿命提升电性能。然而，现有技术中，由于氢释放较少，导致钝化的效果较差，从而使得电池片中少子寿命短，光电转换效率低。

因此，如何在制备太阳能电池的过程中提高氢的释放量，从而提高少子寿命以及光电转换效率，是本领域技术人员急需要解决的技术问题。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种太阳能电池制备方法，进一步改善氢钝化的效果，使其钝化膜中氢含量增加，有效的降低载流子的复合、提升电池的少子寿命，改善晶硅电池电性能。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种太阳能电池制备方法，包括：

步骤S1：将硅片依次进行清洗制绒、PN结扩散以及刻蚀去除磷硅玻璃；

步骤S2：在PN结扩散层表面沉积SiNx薄膜，得到镀有一层SiNx薄膜的硅片，反应腔中温度升高至预设温度同时静置预设时间，再次沉积所述SiNx薄膜，得到镀有两层SiNx薄膜的硅片；

步骤S3：对所述镀有两层SiNx薄膜的硅片的正反面进行丝网印刷，形成正电极、背电极以及背电场，并将其烧结，得到太阳能电池。

优选的，在上述太阳能电池制备方法中，所述预设温度范围为10℃-30℃。

优选的，在上述太阳能电池制备方法中，所述步骤S2中，所述步骤S2中，在真空无压力的情况下，将所述镀有一层SiNx薄膜的硅片静置所述预设时间。

优选的，在上述太阳能电池制备方法中，所述预设时间范围为5min-25min。

优选的，在上述太阳能电池制备方法中，所述步骤S2中，通过等离子化学气相沉积法蒸镀所述SiNx薄膜。

从上述技术方案可以看出，本发明所提供的一种太阳能电池制备方法，包括：步骤S1：将硅片依次进行清洗制绒、PN结扩散以及刻蚀去除磷硅玻璃；步骤S2：在PN结扩散层表面沉积SiNx薄膜，得到镀有一层SiNx薄膜的硅片，反应腔中温度升高至预设温度同时静置预设时间，再次沉积所述SiNx薄膜，得到镀有两层SiNx薄膜的硅片；步骤S3：对所述镀有两层SiNx薄膜的硅片的正反面进行丝网印刷，形成正电极、背电极以及背电场，并将其烧结，得到太阳能电池。

本发明主要针对氢钝化的效果进行进一步地优化，在电池片镀膜过程中反应腔中温度升高至预设温度，同时静置预设时间，可以更好地有效地推进氢原子与其他悬挂键或电池体内的其他缺陷、杂质的结合，使SiNx薄膜中氢含量增加，在电池电性能方面明显的提升。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种太阳能电池制备方法流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1，图1为本发明实施例提供的一种太阳能电池制备方法流程图。

在一种具体实施方式中，提供了一种太阳能电池制备方法，包括：