[发明专利]一种In‑Cell触控阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种In-Cell触控阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板、设于所述衬底基板上的TFT结构层、设于所述TFT结构层上的平坦层、设于一部分所述平坦层上的公共电极层、设于所述公共电极层与所述平坦层上的第二层间绝缘层、设于所述第二层间绝缘层上的触控电极层、设于所述触控电极层与所述第二层间绝缘层上的像素电极绝缘层，以及设于一部分所述像素电极绝缘层上的像素电极层；

其中，所述TFT结构层的TFT漏极上方对应的所述平坦层、所述第二层间绝缘层与所述像素电极绝缘层上设有像素电极层过孔，所述像素电极层覆盖所述像素电极层过孔并通过其与所述TFT漏极接触，所述像素电极绝缘层的预设位置区域上设有像素电极层凹槽，所述像素电极层设于所述像素电极层凹槽与所述像素电极层过孔上，且在所述像素电极层过孔以外的所述像素电极层的表面，与位于所述像素电极层凹槽之外的所述像素电极绝缘层的表面处于同一层面。

2.根据权利要求1所述的In-Cell触控阵列基板，其特征在于，所述衬底基板上还设有遮光层，所述衬底基板与所述遮光层上设有遮光绝缘层，所述TFT结构层设于所述遮光绝缘层上。

3.根据权利要求2所述的In-Cell触控阵列基板，其特征在于，所述TFT结构层包括：

设于所述遮光绝缘层上的TFT源极接触部、TFT漏极接触部及位于所述TFT源极接触部与所述TFT漏极接触部之间的半导体有源层；

设于所述TFT源极接触部、所述TFT漏极接触部与所述半导体有源层上的栅极绝缘层；

设于所述栅极绝缘层上的栅极，所述栅极位于所述半导体有源层上方对应的栅极绝缘层上；

设于所述栅极与所述栅极绝缘层上的第一层间绝缘层，所述TFT源极接触部与所述TFT漏极接触部上方对应的所述第一层间绝缘层与所述栅极绝缘层位置，分别设有TFT源极过孔与TFT漏极过孔，所述TFT源极过孔上设有与所述TFT源极接触部接触的TFT源极，所述TFT漏极过孔上设有与所述TFT漏极接触部接触的TFT漏极；

其中，所述平坦层覆盖所述TFT源极与所述TFT漏极。

4.根据权利要求3所述的In-Cell触控阵列基板，其特征在于，所述TFT源极接触部及所述TFT漏极接触部与所述半导体有源层之间分别设有增强导电作用的掺杂层。

5.根据权利要求2所述的In-Cell触控阵列基板，其特征在于，所述遮光层的制作材料为金属材料。

6.一种如权利要求1～5任一项所述的In-Cell触控阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底基板上形成遮光层及覆盖所述遮光层与所述衬底基板的遮光绝缘层：

在所述遮光层与所述遮光绝缘层上形成TFT结构层；

在所述TFT结构层上依次形成平坦层、公共电极层、第二间层绝缘层、触控电极层与像素电极绝缘层；

在所述TFT漏极上方对应的所述像素电极绝缘层形成像素电极绝缘层过孔，且所述像素电极绝缘层过孔底部的所述像素电极绝缘层覆盖所述TFT漏极，所述像素电极绝缘层过孔的侧面从外到内依次为所述像素电极绝缘层、所述第二间层绝缘层与所述平坦层；

在所述像素电极绝缘层的预设位置区域上形成像素电极层凹槽，同时使所述TFT漏极裸露于所述像素电极绝缘层过孔，所述像素电极层凹槽设于所述触控电极层上方对应之外的所述像素电极绝缘层上；

在所述像素电极层凹槽与所述像素电极绝缘层过孔上形成像素电极层，同时形成像素电极层过孔，并使在所述像素电极层过孔以外的所述像素电极层的表面，与位于所述像素电极层凹槽之外的所述像素电极绝缘层的表面处于同一层面。