[发明专利]开关电路、相关方法和集成电路

权利要求书

1.一种开关电路，包括：

串联连接在两个端子之间的第一晶体管和第二晶体管，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管包括连接至公共控制节点的相应控制端子，其中在所述公共控制节点与位于所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的中间点之间连接有电容，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管根据所述电容处的电压而变为导通或不导通；以及

控制电路，包括：

第一电路，被配置为根据第一控制信号对所述电容充电，以及

第二电路，被配置为根据第二控制信号使所述电容放电；

第三电路，包括多个二极管和至少一个开关，所述至少一个开关被配置为使得：

当所述电容处的电压大于给定阈值时，在所述中间点与所述公共控制节点之间级联连接两个二极管，从而使得电流能够从所述中间点流向所述公共控制节点，以及

当所述电容处的电压小于所述给定阈值时，在所述公共控制节点与所述中间点之间串联连接两个二极管，从而使得电流能够从所述公共控制节点流向所述中间点。

2.根据权利要求1所述的开关电路，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管是n沟道场效应晶体管，其中所述第一控制信号指示所述第一晶体管和所述第二晶体管应当导通，并且所述第二控制信号指示所述第一晶体管和所述第二晶体管应当非导通。

3.根据权利要求2所述的开关电路，其中，所述第三电路包括：

第一分支，包括级联连接的第一二极管和第二二极管，

第二分支，包括级联连接的第三二极管和第四二极管，以及

至少一个开关，被配置为选择性地将所述第一分支或所述第二分支连接在所述公共控制节点与所述中间点之间。

4.根据权利要求3所述的开关电路，其中，所述至少一个开关根据所述电容处的电压被驱动。

5.根据权利要求4所述的开关电路，其中，所述至少一个开关包括：

与所述第一分支串联连接在所述中间点和所述公共控制节点之间的n沟道场效应晶体管，其中所述n沟道场效应晶体管的栅极连接至所述公共控制节点，以及

与所述第二分支串联连接在所述公共控制节点和所述中间点之间的p沟道场效应晶体管，其中所述p沟道场效应晶体管的栅极连接至所述公共控制节点。

6.根据权利要求1所述的开关电路，其中，所述第三电路包括：

串联连接在所述公共控制节点与所述中间点之间的第一n沟道场效应晶体管和第二n沟道场效应晶体管，以及

串联连接在所述公共控制节点与所述中间点之间的第一p沟道场效应晶体管和第二p沟道场效应晶体管，以及

级联连接的第一二极管和第二二极管，其中所述第一二极管的阳极连接至所述第一n沟道场效应晶体管与所述第二n沟道场效应晶体管之间的中间点，并且所述第二二极管的阴极连接至所述第一p沟道场效应晶体管与所述第二p沟道场效应晶体管之间的中间点。

7.根据权利要求6所述的开关电路，其中：

所述第一n沟道场效应晶体管的栅极连接至所述公共控制节点，

所述第二n沟道场效应晶体管的栅极连接至所述中间点，

所述第一p沟道场效应晶体管的栅极连接至所述公共控制节点，并且

所述第二n沟道场效应晶体管的栅极连接至所述中间点。

8.根据权利要求7所述的开关电路，其中，所述第一电路包括：

第一子电路，被配置为选择性地对所述公共控制节点施加第一电压，以及

第二子电路，被配置为选择性地对所述中间点施加第二电压，所述第一电压大于所述第二电压。

9.根据权利要求8所述的开关电路，其中，所述第二电路包括：

第一子电路，被配置为选择性地对所述中间点施加第一电压，以及

第二子电路，被配置为选择性地对所述公共控制节点施加第二电压，所述第一电压等于或大于所述第二电压。