[发明专利]多晶硅栅极的形成方法

权利要求书

1.一种多晶硅栅极的形成方法，包括：

提供在衬底上形成了栅氧化层、在栅氧化层上形成了多晶硅层的晶圆；

对所述多晶硅层进行蚀刻，形成多晶硅栅极；完成多晶硅栅极蚀刻后的晶圆在多晶硅蚀刻区域的衬底表面形成有多晶硅残留；

在所述晶圆表面形成覆盖所述衬底和多晶硅栅极的保护层；

蚀刻所述保护层，将所述多晶硅栅极上方以及所述衬底表面的保护层去除，所述多晶硅栅极侧面余留的保护层形成侧墙；

对所述晶圆进行湿氧氧化，在所述衬底表面形成氧化层，将所述多晶硅残留氧化成为硅氧化物，所述湿氧氧化在所述衬底表面形成的氧化层作为后续LDD注入工艺中的前薄氧；

所述在所述晶圆表面形成覆盖所述衬底和多晶硅栅极的保护层的步骤之前，还包括对多晶硅蚀刻区域的衬底表面已形成的氧化层进行去除，并验证去除氧化层是否达到去除目标，若未达到去除目标则再次去除直至达到去除目标的步骤；所述对多晶硅蚀刻区域的衬底表面已形成的氧化层进行去除的步骤是将与所述多晶硅栅极下方的栅氧化层连成一体的氧化层进行去除，使得所述多晶硅蚀刻区域的衬底表面不再存在与所述多晶硅栅极下方的栅氧化层连成一体的氧化层。

2.根据权利要求1所述的多晶硅栅极的形成方法，其特征在于，所述侧墙将所述多晶硅栅极和栅氧化层的侧面覆盖，以在所述对晶圆进行湿氧氧化的步骤中对栅氧化层形成保护。

3.根据权利要求1所述的多晶硅栅极的形成方法，其特征在于，所述侧墙为氮化硅或氮氧化硅侧墙。

4.根据权利要求1所述的多晶硅栅极的形成方法，其特征在于，所述方法应用于闪存的制造工艺中。

5.根据权利要求1所述的多晶硅栅极的形成方法，其特征在于，所述对所述晶圆进行湿氧氧化，在所述衬底表面形成氧化层的步骤，是氧化80埃～120埃厚度的氧化层。

6.根据权利要求1所述的多晶硅栅极的形成方法，其特征在于，所述对所述晶圆进行湿氧氧化，在所述衬底表面形成氧化层的步骤，氧化温度为700摄氏度～800摄氏度，氧化时间为25分钟～35分钟。