[发明专利]适用NOR闪存芯片的高压瞬时增强电路在审
| 申请号： | 201611264169.3 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106782657A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 夏菁;任军;盛荣华 | 申请（专利权）人： | 合肥恒烁半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 适用 nor 闪存 芯片 高压 瞬时 增强 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种适用NOR闪存芯片的高压瞬时增强电路，其特征在于，所述适用NOR闪存芯片的高压瞬时增强电路包括逻辑开关控制器、内部逻辑处理电路、耦合电容及放电通路，逻辑开关控制器用来选择芯片是否采用此瞬时增强电路，内部逻辑处理电路用来智能判断此增强电路开启的时机以及控制放电通路，耦合电容用以产生瞬时增强电压，放电通路在此增强电路空闲时泻掉耦合电容上的多余电荷，防止电路漏电。
2.如权利要求1所述的适用NOR闪存芯片的高压瞬时增强电路，其特征在于，所述内部逻辑处理电路不仅可以通过耦合电容给高压输出一个抬升电压，又可以在电路空闲时将耦合电容上多余的电量放掉。
3.如权利要求1所述的适用NOR闪存芯片的高压瞬时增强电路，其特征在于，所述适用NOR闪存芯片的高压瞬时增强电路仅在芯片工作需要的特定时间工作，而不影响电荷泵高压的正常通路。
4.如权利要求1所述的适用NOR闪存芯片的高压瞬时增强电路，其特征在于，所述耦合电容在电荷泵正常工作的同时作为高压输出的容性负载，以此减小高压输出的纹波。
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