[发明专利]半导体装置结构在审
| 申请号： | 201611264421.0 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN107017303A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 林时彦;吴崇荣;刘继文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;林时彦 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24;H01L29/45 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置结构，包括:
一基底；
一半导体层，位于该基底上方，其中该半导体层包括过渡金属硫属化物；以及
一源极电极和一漏极电极，位于该半导体层上方并连接该半导体层，且通过一间隙彼此间隔开，其中该源极电极和该漏极电极由石墨烯制成。
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