[发明专利]一种硅片研磨装置及其研磨方法

权利要求书

1.一种硅片研磨装置，其特征在于，包括：若干游星轮、一外齿轮、一太阳轮、两个研磨盘以及驱动装置；

所述太阳轮设置于所述外齿轮内侧，每个游星轮均设置于所述太阳轮和所述外齿轮之间，且每个游星轮既与所述太阳轮啮合，又与所述外齿轮啮合；

所述两个研磨盘分别设置于所述太阳轮两侧，并覆盖所有游星轮；

所述两个研磨盘和所述太阳轮均与所述驱动装置连接，所述驱动装置用于驱动所述两个研磨盘以及所述太阳轮转动；

所述若干游星轮中至少一个游星轮的厚度与其余游星轮的厚度不同。

2.如权利要求1所述的硅片研磨装置，其特征在于，所述若干游星轮的厚度均不等，所述若干游星轮根据厚度递减的顺序依次设置于所述太阳轮和所述外齿轮之间。

3.如权利要求1所述的硅片研磨装置，其特征在于，若干游星轮的厚度分布呈等差数列，所述厚度差的范围为4μm-6μm。

4.如权利要求1所述的硅片研磨装置，其特征在于，每个游星轮均具有一硅片容纳腔，用于容纳硅片。

5.如权利要求1所述的硅片研磨装置，其特征在于，还包括一气缸，所述气缸与任一研磨盘连接，用于为所述研磨盘施加压力。

6.一种硅片研磨方法，其特征在于，采用如权利要求1～5中任一项所述硅片研磨装置对硅片进行至少一次研磨。

7.如权利要求6所述的硅片研磨方法，其特征在于，所述硅片采用金刚石线将晶棒切割而成，在采用金刚石线将晶棒切成硅片的过程中采用冷却液对金刚石线进行冷却。

8.如权利要求6所述的硅片研磨方法，其特征在于，对所述硅片进行至少一次研磨的方法包括：

根据硅片的厚度，在每个游星轮中设置一个硅片，利用两个研磨盘对设置于游星轮中的硅片的两个面同时进行研磨，且两个研磨盘的旋转方向相反。

9.如权利要求6所述的硅片研磨方法，其特征在于，在对所述硅片进行至少一次研磨的过程中还包括：在硅片上喷射研磨砂浆。

10.如权利要求6所述的硅片研磨方法，其特征在于，当对所述硅片进行至少两次研磨时，在相邻的两次研磨之间包括：对所述硅片翻片。