[发明专利]晶体结构可调控的三元正极材料的制备方法有效
申请号: | 201611265114.4 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN108269995B | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 邹朋辉;杨万光 | 申请(专利权)人: | 广东天劲新能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01M4/505 | 分类号: | H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525 |
代理公司: | 深圳市深联知识产权代理事务所(普通合伙) 44357 | 代理人: | 黄立强 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体结构 调控 三元 正极 材料 制备 方法 | ||
1.一种晶体结构可调控的三元正极材料的制备方法,包括以下步骤:
A.前驱体合成
a)将镍、钴、锰的可溶盐按摩尔比x:y:z配制成目标浓度盐溶液;
b)将浓氨水、NaOH、导向结构的表面活性剂分别配置成溶液;所述导向结构的表面活性剂为CTMAB、三乙醇胺、土耳其红油中的一种或多种,其浓度为0.1-3.0mol/L;
c)向加有底液并不断搅拌的反应釜中通入惰性气体并匀速滴加上述盐、浓氨水、碱和导向结构的表面活性剂溶液,控制反应温度T1,pH1,反应时间t1;
d)将pH值提高至pH2值,继续反应时间t2;
e)反应完成后,将固液混合物过滤、清洗、干燥,即得到三元前驱体;
B.晶体结构可调控的正极材料合成
(1)将前驱体和锂盐按照适宜的Li/Me比进行配料得预混料;
(2)将预混料装钵置于温度为T2的窑炉中进行高温煅烧;
(3)煅烧完成后,待材料温度降至室温,过300目筛,即得所述三元正极材料;前驱体合成中,pH1=10.5-11.5,pH2=11.0-12.0,且pH1pH2;前驱体合成温度T1=30-60℃;前驱体合成时间t1=1-10h,t2=6-50h,t1+t2≦60h;前驱体合成搅拌速度=200-2000rpm。
2.根据权利要求1所述的三元正极材料的制备方法,其特征在于,前驱体合成中,x、y和z满足:
0x≦0.8;0.1≦y1,0z≦0.4,x+y+z=1。
3.根据权利要求2所述的三元正极材料的制备方法,其特征在于,前驱体合成的可溶盐溶液摩尔浓度为0.5-4.0mol/L。
4.根据权利要求1所述的三元正极材料的制备方法,其特征在于,前驱体合成的浓氨水浓度为0.20-10.0mol/L;前驱体合成的NaOH溶液摩尔浓度为1.0-8.0mol/L。
5.根据权利要求1所述的三元正极材料的制备方法,其特征在于,所述晶体结构可调控的正极材料合成中,Li/Me比为1.0~1.2。
6.根据权利要求1所述的三元正极材料的制备方法,其特征在于,所述晶体结构可调控的正极材料合成煅烧温度为600-1000℃;所述煅烧时间为10-40h。
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