[发明专利]一种MEMS红外光源及其制作方法

权利要求书

1.一种MEMS红外光源，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底表面的支撑层，所述支撑层包括中心区域和边缘区域；

位于所述支撑层背离所述衬底表面的中心区域，沿背离所述衬底的方向依次层叠设置的第一热敏电阻层、介质层和第二热敏电阻层，所述介质层用于电隔离所述第一热敏电阻层和第二热敏电阻层；

位于所述第二热敏电阻层背离所述支撑层表面的隔离保护层；

位于所述隔离保护层背离所述第二热敏电阻层表面的加热电阻层；

位于所述加热电阻层背离所述隔离保护层表面的辐射层；

其中，所述第一热敏电阻层和所述第二热敏电阻层中的其中一层为温度传感器，另一层为温度补偿传感器。

2.根据权利要求1所述的MEMS红外光源，其特征在于，所述支撑层上还包括贯穿所述支撑层的四个隔离槽，四个所述隔离槽在所述支撑层上组成矩形，所述隔离槽将所述支撑层分割为中心区域和边缘区域，所述边缘区域和所述中心区域在所述矩形的顶角处连接。

3.根据权利要求2所述的MEMS红外光源，其特征在于，所述衬底还包括空腔结构，所述空腔结构贯穿所述衬底，且与所述支撑层上边缘区域所围的区域对应，使得所述支撑层上的中心区域上的所述第一热敏电阻层、所述介质层、所述第二热敏电阻层、所述隔离保护层、所述加热电阻层和所述辐射层悬空。

4.根据权利要求3所述的MEMS红外光源，其特征在于，所述支撑层的边缘区域背离所述衬底的表面还设置有两个第一热敏电阻层接线点、两个第二热敏电阻层接线点和两个加热电阻层接线点，所述两个第一热敏电阻层接线点与所述第一热敏电阻层电性连接，所述两个第二热敏电阻层接线点与所述第二热敏电阻层电性连接，所述两个加热电阻层接线点与所述加热电阻层电性连接。

5.根据权利要求4所述的MEMS红外光源，其特征在于，所述第一热敏电阻层、所述第二热敏电阻层和所述加热电阻层在所述支撑层上的投影均为蛇形。

6.根据权利要求1所述的MEMS红外光源，其特征在于，所述第一热敏电阻层和所述第二热敏电阻层的材质相同。

7.根据权利要求6所述的MEMS红外光源，其特征在于，所述第一热敏电阻层和所述第二热敏电阻层的材质包括铂或氧化锰。

8.根据权利要求1所述的MEMS红外光源，其特征在于，所述加热电阻层为单层金属薄膜，所述金属薄膜的材质为铜、铂、铝、钛、金或钨。

9.根据权利要求1所述的MEMS红外光源，其特征在于，所述加热电阻层为金属复合结构。

10.根据权利要求1所述的MEMS红外光源，其特征在于，所述支撑层为氧化硅层、氮化硅层、或氮化硅和氧化硅组成的多层复合膜结构。

11.根据权利要求1所述的MEMS红外光源，其特征在于，所述辐射层为氮化钛、金黑、银黑、铂黑或者纳米硅材料中的任意一种。

12.一种MEMS红外光源制作方法，其特征在于，用于制作权利要求1-11任意一项所述的MEMS红外光源，所述MEMS红外光源制作方法包括：

提供衬底；

在所述衬底的一个表面上形成支撑层；

在所述支撑层背离所述衬底的表面依次形成第一热敏电阻层、介质层、第二热敏电阻层、隔离保护层和加热电阻层；

在所述加热电阻层背离所述支撑层的表面形成辐射层。

13.根据权利要求12所述的MEMS红外光源制作方法，其特征在于，所述在所述衬底的一个表面上形成支撑层之后还包括：

刻蚀所述支撑层，形成四个隔离槽结构，四个所述隔离槽在所述支撑层上组成矩形，所述隔离槽将所述支撑层分割为中心区域和边缘区域，所述边缘区域和所述中心区域在所述矩形的顶角处连接。