[发明专利]一种电感耦合等离子处理装置

权利要求书

1.一种电感耦合等离子处理装置，所述的电感耦合等离子处理装置包括：

反应腔，反应腔内包括一个基座，所述基座用于固定待处理基片，反应腔顶部包括一绝缘材料窗，一连接到射频电源的电感线圈设置在所述绝缘材料窗上方，电感线圈产生的射频磁场穿过绝缘材料窗进入反应腔激发反应腔内的反应气体形成等离子体，利用所述等离子体对基片进行处理，

还包括一个靠近绝缘材料窗的磁场调整环，所述磁场调整环包括一磁场导引环，用于将电感线圈形成的磁场能量集中至所述磁场导引环周围；

所述磁场调整环还包括一个位于所述磁场导引环和所述电感线圈之间的磁场反射环，用于将所述磁场导引环集中至磁场导引环周围的部分磁场能量反射回反应腔中；

其中所述磁场导引环由具有第一相对磁导率和第一电阻率的材料制成，所述磁场反射环由具有第二相对磁导率和第二电阻率的材料制成，所述第一相对磁导率大于第二相对磁导率，第一电阻率大于第二电阻率。

2.如权利要求1所述的电感耦合等离子处理装置，其特征在于，所述磁场导引环由铁氧体材料或坡莫合金或硅钢制成。

3.如权利要求1所述的电感耦合等离子处理装置，其特征在于，所述第一相对磁导率大于100，第二相对磁导率小于等于1；第一电阻率大于15×10^-8Ωm，第二电阻率小于3×10^-8Ωm。

4.如权利要求1所述的电感耦合等离子处理装置，其特征在于，所述磁场反射环由金属铜或铝制成。

5.如权利要求1所述的电感耦合等离子处理装置，其特征在于，所述磁场反射环电接地。

6.如权利要求1所述的电感耦合等离子处理装置，其特征在于，所述磁场调整环位于所述绝缘材料窗上方，所述磁场反射环覆盖所述磁场导引环的顶部、内侧壁和底部。

7.如权利要求1所述的电感耦合等离子处理装置，其特征在于，所述磁场调整环设置在反应腔内顶部，靠近绝缘材料窗的下表面。

8.如权利要求6所述的电感耦合等离子处理装置，其特征在于，所述磁场调整环包括竖直部分和横向延展部分，所述横向延展部分覆盖所述电感线圈。

9.如权利要求1所述的电感耦合等离子处理装置，其特征在于，所述磁场调整环的内侧和外侧均包括电感线圈，所述磁场导引环的外部被磁场反射环完全包围。

10.如权利要求1所述的电感耦合等离子处理装置，其特征在于，所述磁场调整环中的磁场导引环与磁场反射环集成为一体。

11.如权利要求1所述的电感耦合等离子处理装置，其特征在于，所述磁场调整环中的所述第一相对磁导率大于10倍的第二相对磁导率，第一电阻率大于5倍的第二电阻率。

12.一种电感耦合等离子处理装置，所述的电感耦合等离子处理装置包括：

反应腔，反应腔内包括一个基座，所述基座用于固定待处理基片，反应腔顶部包括一绝缘材料窗，一连接到射频电源的电感线圈设置在所述反应腔外侧壁，电感线圈产生的射频磁场穿过绝缘材料窗进入反应腔，激发反应腔内的反应气体形成等离子体，利用所述等离子体对基片进行处理，

还包括一个靠近电感线圈的磁场调整环，所述磁场调整环包括一磁场导引环，用于将电感线圈形成的磁场能量集中至所述磁场导引环周围；

所述磁场调整环还包括一个位于所述磁场导引环和所述电感线圈之间的磁场反射环，用于将所述磁场导引环集中至磁场导引环周围的部分磁场能量反射回反应腔中；

其中所述磁场导引环由具有第一相对磁导率和第一电阻率的材料制成，所述磁场反射环由具有第二相对磁导率和第二电阻率的材料制成，所述第一相对磁导率大于第二相对磁导率，第一电阻率大于第二电阻率。