[发明专利]具有可焊接的正面的半导体芯片及制造半导体芯片的方法

权利要求书

1.半导体芯片(100)，包括具有第一主延伸方向(x)和第二主延伸方向(y)的半导体元器件(101)，其中，所述第一主延伸方向(x)和所述第二主延伸方向(y)形成主延伸平面，其中，所述主延伸平面垂直于所述半导体芯片(100)的堆叠方向(z)布置，其中，直接在所述半导体元器件(101)上布置：

·可焊接的第一金属区域(102)，

·可焊接的至少一个第二金属区域(103)，以及

·介电区域(104)，其中，

所述第一金属区域(102)和所述至少一个第二金属区域(103)由所述介电区域(104)电分离，其中，所述至少一个第二金属区域(103)沿所述第一主延伸方向(x)与所述第一金属区域(102)相距第一间距(105)，其特征在于，在所述第一金属区域(102)上布置第一焊料(107)，该第一焊料在未焊接状态下具有至少相当于所述第一间距(105)的三倍的第四层厚度，并且在所述第一焊料(107)上布置第三金属区域(108)，所述第三金属区域(108)沿所述第一主延伸方向(x)与所述半导体元器件(101)的边缘相距第三间距(109)，该第三间距相当于在未焊接状态下的所述第一焊料(107)的第四层厚度的至少五倍，其中，所述第一金属区域(102)、所述第二金属区域(103)、所述第三金属区域(108)和所述第一焊料(107)具有材料锁合连接。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片(100)，其特征在于，所述至少一个第二金属区域(103)完全由所述介电区域(104)包围。

3.根据权利要求1或2所述的半导体芯片(100)，其特征在于，所述第一金属区域(102)完全由所述介电区域(104)包围。

4.根据权利要求1或2所述的半导体芯片(100)，其特征在于，所述第二金属区域(103)沿所述主延伸方向(x)与所述半导体元器件(101)的边缘相距第二间距(106)。

5.根据权利要求1或2所述的半导体芯片(100)，其特征在于，所述第一金属区域(102)具有第一层厚度，所述第二金属区域(103)具有第二层厚度，所述介电区域(104)具有第三层厚度，其中，所述第一层厚度和所述第二层厚度大于所述第三层厚度。

6.根据权利要求1或2所述的半导体芯片(100)，其特征在于，所述半导体元器件(101)包括伪肖特基二极管。

7.用于制造根据权利要求1至6中任一项所述的包括半导体元器件(101)的半导体芯片(100)的方法(400)，具有如下步骤：

·在所述半导体元器件(101)上结构化(410)介电区域(104)；

·将第一金属区域(102)和第二金属区域(103)施加(420)到所述半导体元器件(101)上,使得所述第一金属区域(102)和所述第二金属区域(103)通过所述介电区域(104)彼此电分离；

·将第一焊料(107)施加(430)到所述第一金属区域(102)上，将第三金属区域(108)施加到所述第一焊料(107)上，以及

·通过温度步骤材料锁合地连接(450)所述第一金属区域(102)、所述第二金属区域(103)、第三金属区域(108)以及所述第一焊料(107)。

8.根据权利要求7所述的方法(400)，其特征在于，通过暂时接通(425)所述第一金属区域(102)和/或所述第二金属区域(103)测试所述半导体元器件(101)。