[实用新型]一种高焊线质量的芯片框架

权利要求书

1.一种高焊线质量的芯片框架，包括框架本体，所述框架本体分为用于封装芯片的框架正面和与框架正面对应的框架背面，其特征在于，所述框架正面涂敷有钯银金镍保护层，所述框架背面涂敷有镍钯金保护层。

2.根据权利要求1所述的高焊线质量的芯片框架，其特征在于，所述框架正面涂敷的钯银金镍保护层为从内到外的多层结构，且从内到外依次为Ni层、Pd层、Ag层和Au层，其中Ni为镍，Pd为钯，Ag为银，Au为金。

3.根据权利要求2所述的高焊线质量的芯片框架，其特征在于，所述Ni层的厚度为0.5-2.0um，所述Pd层的厚度为0.02-0.15um，所述Ag层的厚度不小于0.1um，所述Au层的厚度不小于0.003um。

4.根据权利要求1-3之一所述的高焊线质量的芯片框架，其特征在于，所述框架背涂敷的镍钯金保护层为从内到外的多层结构，且从内到外依次为Ni层、Pd层和Au层。

5.根据权利要求4所述的高焊线质量的芯片框架，其特征在于，所述Ni层的厚度为0.5-2.0um，所述Pd层的厚度为0.02-0.15um，所述Au层的厚度不小于0.003um。