[实用新型]一种基于超声驻波场的包覆压电单元薄膜的制造装置

权利要求书

1.一种基于超声驻波场的包覆压电单元薄膜的制造装置，其特征在于： 包括铌酸锂晶片(2)、铜质叉指电极(1)、PDMS微流道(3)和紫外光源(8)，铌酸 锂晶片(2)的上表面形成有两对正交排布的铜质叉指电极(1)，铜质叉指电极(1) 与铌酸锂晶片(2)构成叉指换能器，各个铜质叉指电极(1)与信号发生器(5)的输 出通道相连，PDMS微流道(3)覆盖在铌酸锂晶片(2)的正中央，四个铜质叉指电 极(1)分别位于PDMS微流道(3)的周围四边并呈对称分布，紫外光源(8)置于铌 酸锂晶片(2)下方。

2.根据权利要求1所述的一种基于超声驻波场的包覆压电单元薄膜的制造 装置，其特征在于：所述的铜质叉指电极(1)通过光刻与溅射方法在铌酸锂晶片 (2)上制备。

3.根据权利要求1所述的一种基于超声驻波场的包覆压电单元薄膜的制造 装置，其特征在于：所述的PDMS微流道(3)为内部中空且无底板的方壳体，壳 体顶部钻有注射孔和排气孔。

4.根据权利要求1所述的一种基于超声驻波场的包覆压电单元薄膜的制造 装置，其特征在于：所述的叉指换能器是具有多种共振频率的铜质叉指换能 器，每个铜质叉指电极(1)的指宽和间距由外向内逐渐递减。

5.根据权利要求1所述的一种基于超声驻波场的包覆压电单元薄膜的制造 装置，其特征在于：所述的压电晶片采用128°Y切型、延X向传播的双面抛光 铌酸锂。