[实用新型]一种恒定跨导轨对轨电压比较器有效

专利信息
申请号: 201620032501.2 申请日: 2016-01-14
公开(公告)号: CN205283503U 公开(公告)日: 2016-06-01
发明(设计)人: 廖建平;林桂江;杨瑞聪;刘玉山;沈滨旭;任连峰;杨凤炳 申请(专利权)人: 厦门新页微电子技术有限公司
主分类号: H03K5/22 分类号: H03K5/22
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361008 福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 恒定 导轨 电压 比较
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及电子技术领域,特别涉及一种恒定跨导轨对轨电压比较 器。

背景技术

比较器(亦可称为电压比较器)是集成电路中的一种。电压比较器比较两 个输入电压的大小,并判断出其中哪一个电压高。根据输出电压的准位,以判 断哪个输入电压大。

然而,以目前一般比较器而言,在比较差分输入电压时,可辨识的输入共 模电压(inputcommonmodevoltage)的范围不是轨对轨(rail-to-rail),即,其可辨 识的输入共模电压的范围无法从接地端GND至操作电压VDD。如输入共模电 压偏向于接地端GND,就要用具有PMOS差分输入对的比较器;相反地,如输 入共模电压偏向于操作电压VDD,就要用具有NMOS差分输入对的比较器。 而一般的轨对轨电压比较器没有恒定跨导特性,无法满足无线充电控制芯片对 共模输入范围和跨导的特殊要求。

实用新型内容

因此,针对上述的问题,本实用新型提出一种恒定跨导轨对轨电压比较 器,该电压比较器输入级采用NMOS差分输入对和PMOS差分输入对并联结 构,可以在GND至电源电压VDD全电压范围内进行比较,实现了共模输入电 压范围的最大化,达到轨对轨。且本实用新型通过合理设计晶体管(NMOS和 PMOS)尺寸,实现电路共模输入范围三个区域(仅NMOS差分输入对导通、 仅PMOS差分输入对导通及NMOS和PMOS差分输入对管同时导通)的跨导一 样大,即在整个共模输入范围内维持跨导恒定。

为了解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案如下:

一种恒定跨导轨对轨电压比较器,包括偏置电路、双差分输入电路、有源 负载及输出缓冲电路;所述偏置电路、双差分输入电路、有源负载及输出缓冲 电路顺次电性连接;所述偏置电路用于提供偏置电流;所述双差分输入电路与 有源负载连接,用于实现输入共模电压范围内达到轨对轨及在整个共模输入范 围内跨导恒定;所述输出缓冲电路通过采用两级反相器电路实现比较信号输 出;其中,所述双差分输入电路包括NMOS差分输入对、PMOS差分输入对、 NMOS差分输入对对应的电流源、以及PMOS差分输入对对应的电流源, NMOS差分输入对和PMOS差分输入对并联连接。上述描述中,差分输入是将 两个输入端的差值作为信号,这两个输入端所对应的晶体管就是差分对,差分 输入对一般采用一对参数特性一样的晶体管作为输入端,故有NMOS差分(输 入)对或PMOS差分(输入)。

所述偏置电路包括偏置电流源Ibs、NMOS管MN1、NMOS管MN2以及 PMOS管MP1;所述NMOS管MN1的漏极接偏置电流源Ibs;所述NMOS管 MN1的漏极和栅连;所述NMOS管MN1的源级接地;所述NMOS管MN1的 栅极与NMOS管MN2的栅极相连;所述NMOS管MN2的栅极与双差分输入 电路相连;所述NMOS管MN2的源级接地;所述NMOS管MN2的漏极与所 述PMOS管MP1的漏极相连;所述PMOS管MP1的源极接电源电压VDD;所 述PMOS管MP1的漏极和栅极相连;

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