[实用新型]一种高低温下分布集中的带隙基准电路

权利要求书

1.一种高低温下分布集中的带隙基准电路，其特征在于，包括带隙基准电路、温度检测器和选通逻辑模块；

所述带隙基准电路用于输出带隙基准电压vBGR；

所述温度检测器用于检测带隙基准电路所处环境的温度，并在所测温度值大于或等于阈值时输出第一信号给选通逻辑模块，在所测温度值小于阈值时输出第二信号给选通逻辑模块；

所述选通逻辑模块用于：在接收到第一信号时，将第一调整码送至带隙基准电路；在接收到第二信号时，将第二调整码送至带隙基准电路。

2.根据权利要求1所述的一种高低温下分布集中的带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准电路包括运算放大器controls、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电阻R2、电阻R3、PMOS管PMOS1、PMOS管PMOS2和PMOS管PMOS3；

PMOS管PMOS1、PMOS管PMOS2和PMOS管PMOS3的漏极均接电源；PMOS管PMOS1、PMOS管PMOS2和PMOS管PMOS3的栅极共接且连接运算放大器controls的输出端；PMOS管PMOS1的源极连接二极管D1的正极，二极管D1的负极接地；PMOS管PMOS2的源极串接电阻R2后连接二极管D2的正极，二极管D2的负极接地；PMOS管PMOS3的源极串接电阻R3后连接二极管D3的正极，二极管D3的负极接地；

运算放大器controls的正向输入端连接PMOS管PMOS1的源极，运算放大器controls的反向输入端连接PMOS管PMOS2的源极；PMOS管PMOS3的源极输出带隙基准电压vBGR。

3.根据权利要求2所述的一种高低温下分布集中的带隙基准电路，其特征在于，选通逻辑模块在接收到第一信号时，将第一调整码送至带隙基准电路的电阻R3；在接收到第二信号时，将第二调整码送至带隙基准电路的电阻R3。

4.根据权利要求3所述的一种高低温下分布集中的带隙基准电路，其特征在于，第一调整码和第二调整码均用于调整电阻R3的值，控制带隙基准电压vBGR接近目标值。

5.根据权利要求1所述的一种高低温下分布集中的带隙基准电路，其特征在于，所述阈值为50℃。

6.根据权利要求1所述的一种高低温下分布集中的带隙基准电路，其特征在于，第一调整码为90℃时的调整码；第二调整码为-10℃时的调整码。

7.根据权利要求1所述的一种高低温下分布集中的带隙基准电路，其特征在于，第一调整码和第二调整码均通过激光熔丝输出给带隙基准电路。