[实用新型]低色偏耐绕曲阻隔膜

说明书

技术领域

本实用新型涉及导电膜技术领域，尤其涉及一种低色偏耐绕曲阻隔膜。

背景技术

阻隔膜能够抵抗水分渗透，较常用于液晶显示面板上，以防止液晶与有机发光材料的老化。现有常用的阻隔膜，其结构如图1所示，包括基材层21，设置在基材层21表面的SiN_x层22或SiO_y层22，以及设置在SiN_x层22或SiO_y层22上的聚合物层23，基材层21底面进一步包括一背涂层24。上述阻隔膜中采用SiN_x层时，阻隔效果佳，然光线透过率低，色偏严重；上述阻隔膜中采用SiO_y层时，透過率高，低色偏，然密著差。

实用新型内容

鉴于以上所述，本实用新型研发一种透过率高、低色偏、阻隔效果佳的低色偏耐绕曲阻隔膜。

一种低色偏耐绕曲阻隔膜，包括基材层，依序层设在基材层顶面上的SiN_x层、SiO_y层与有机涂层，以及设置在基材层底面的背涂层，其中，SiN_x层的厚度在3nm至40nm之间，x取值1至4/3之间，SiO_y层厚度在20nm至120nm之间，y取值1.8至2之间。

进一步地，所述基材层厚度12um至260um之间。

进一步地，所述SiN_x层厚度在3nm至20nm之间。

更进一步地，所述SiN_x层厚度在5nm至20nm之间。

进一步地，所述SiO_y层厚度在30nm至120nm之间。

更进一步地，所述SiO_y层厚度在30nm至90nm之间。

本实用新型的有益效果，本实用新型低色偏耐绕曲阻隔膜整合现有技术的优点，并加以设计光学厚度，达到透过率高、低色偏、阻隔效果佳的优点。

附图说明

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了更清楚地说明本实用新型的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，描述中的附图仅仅是对应于本实用新型的具体实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，在需要的时候还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有阻隔膜的层结构示意图；

图2为本实用新型低色偏耐绕曲阻隔膜的层结构示意图。

具体实施方式

为了详细阐述本实用新型为达成预定技术目的而所采取的技术方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的部分实施例，而不是全部的实施例，并且，在不付出创造性劳动的前提下，本实用新型的实施例中的技术手段或技术特征可以替换，下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。

请参阅图2，一种低色偏耐绕曲阻隔膜，包括基材层11，依序层设在基材层11顶面上的SiN_x层12、SiO_y层13与有机涂层14，以及设置在基材层11底面的背涂层15。

基材层11材质为PET、PEN、COP或COC任一种或几种的组合，如PET基材层、PEN基材层、COP基材层或COC基材层等。基材层11厚度12-260um之间。

SiN_x层12通过以溅镀或蒸镀方式形成在基材层11表面，N与Si的比例需控制在x＝1–4/3之间，才能达到Si与N的完整键结状态。SiN_x层12厚度在3nm-40nm之间，较佳地选择在3nm-20nm之间，最佳为5nm-20nm之间。

SiO_y层13通过溅射法、真空蒸镀法、离子镀法或等离子体CVD法制作在SiN_x层12表面，O与Si比例需控制在y＝1.8-2之间，若y低于1.8则会造成折射率偏高，影响整体光学设计。SiO_y层厚度20nm-120nm间,较佳地选择在30nm-120nm之间，最佳为在30nm-90nm之间。

有机涂层14的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺或聚苯乙烯中的一种或几种的组合。如聚对苯二甲酸乙二醇酯涂层、聚乙烯涂层、聚丙烯涂层等。