[实用新型]一种柔性蓝宝石衬底

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体光电技术领域，具体为一种柔性蓝宝石衬底。

背景技术

通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上，蓝宝石衬底有许多的优点，首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；最后，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因此，大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底，蓝宝石衬底技术是目前异质衬底氮化镓材料生长领域较为成熟的技术方案，其中采用图形化蓝宝石衬底技术可以较好地缓解蓝宝石衬底和氮化镓外延生长中的应力，降低氮化镓外延中的缺陷密度，提高外延材料的晶体质量，目前，为了防止水氧的渗入和增加衬底的弹性，会在两层聚合物之间加上一层金属箔片，然而聚合物和金属箔片之间存在粘结问题，且切割金属箔片过程中会产生不平整的表面，而且光的反射率不高，从而导致发光二极管的出光效率依然较低，为此，我们提出一种柔性蓝宝石衬底。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种柔性蓝宝石衬底，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种柔性蓝宝石衬底，包括衬底层，所述衬底层的上表面和下表面由内向外依次设置有氧化铝原子层、硅保护层、聚合物层和基板，且底层的基板的底部均匀设置有锥形凸块，所述锥形凸块的锥形部设置有金属反光块，所述聚合物层上设置有切割划痕，所述切割划痕包括横向划痕和竖向划痕，且横向划痕和竖向划痕交错排列设置在聚合物层的上表面上。

优选的，所述聚合物层为聚碳酸酯层，且切割划痕的高度为聚合物层的高度的八分之一至六分之一。

优选的，所述锥形凸块为圆锥结构，且相邻两锥形凸块之间的距离为3—6um。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该柔性蓝宝石衬底，具有良好的致密性、柔韧性和提高了二极管对光的提取率，在两层硅保护层中设置的氧化铝原子层，能良好的防止水氧渗透的同时增加了衬底的致密性，聚合物层上交错排列的横向划痕和竖向划痕，提高了聚合物层结构的均匀性和延展性，从而提高了蓝宝石衬底的柔韧性，蓝宝石衬底采用锥状结构，能更有效地降低外延片的缺陷密度，改善了蓝宝石衬底的反射率，从而提高了发光二极管的光提取效率。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型的切割划痕结构示意图。

图中：1衬底层、2氧化铝原子层、3硅保护层、4聚合物层、5基板、6锥形凸块、61金属反光块、7切割划痕、71横向划痕、72竖向划痕。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-2，本实用新型提供一种技术方案：一种柔性蓝宝石衬底，包括衬底层1，其特征在于：衬底层1的上表面和下表面由内向外依次设置有氧化铝原子层2、硅保护层3、聚合物层4和基板5，氧化铝原子层2良好的防止水氧渗透的同时增加了衬底的致密性，且底层的基板5的底部均匀设置有锥形凸块6，锥形凸块6为圆锥结构，且相邻两锥形凸块6之间的距离为3—6um，锥形凸块6的锥形部设置有金属反光块61，能更有效地降低外延片的缺陷密度，改善了蓝宝石衬底的反射率，从而提高了发光二极管的光提取效率，聚合物层4上设置有切割划痕7，切割划痕7包括横向划痕71和竖向划痕72，且横向划痕71和竖向划痕72交错排列设置在聚合物层4的上表面上，聚合物层4为聚碳酸酯层，且切割划痕7的高度为聚合物层4的高度的八分之一至六分之一，提高了聚合物层4结构的均匀性和延展性，从而提高了蓝宝石衬底的柔韧性。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。