[实用新型]一种太阳能电池主栅线结构有效
申请号: | 201620055706.2 | 申请日: | 2016-01-20 |
公开(公告)号: | CN205355060U | 公开(公告)日: | 2016-06-29 |
发明(设计)人: | 蒲天;吴兢;罗旌旺;芮春保 | 申请(专利权)人: | 江苏辉伦太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林;王玉 |
地址: | 210061 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 主栅线 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及光伏发电技术领域,特别是涉及太阳能电池的主栅线。
背景技术
目前电池片主要技术方向是降低成本和提高效率,其中银浆在太阳电池中主要用于细栅和主栅,主栅的作用是收集并传导电荷,同时作为可焊接衬底用于焊接焊带。银浆的价格一直居高不下,如何降低银浆的耗量是降低生产材料成本的关键。目前主栅线设计多为分段镂空或是主栅圆形排空,这两种设计虽说可以降低银浆的耗量,但是镂空设计还是增加了电阻。
实用新型内容
为解决现有技术的不足,本实用新型的目的在于,提供一种太阳能电池主栅结构,它不仅减少了浆料用量,而且降低了串联电阻,拥有更好的欧姆接触性能,提高了电池的转换效率。
本实用新型的技术方案为:一种太阳能电池主栅线结构,包括设于晶体硅片上的主栅线,其特征在于:所述的主栅线为S型波浪体。
前述的一种太阳能电池主栅线结构,其特征在于:S型区域最小连接段长度A范围为0.05~0.7mm。
前述的一种太阳能电池主栅线结构,其特征在于:S型区域长度B范围为0.5~156mm。
前述的一种太阳能电池主栅线结构,其特征在于:S型区域的角度α、β起始位置均为S型最小连接段的端点,终点位置为弧线终端,α、β角度范围为0~90°。
前述的一种太阳能电池主栅线结构,其特征在于:所有主栅线为连续性S型波浪体或是间断型S型波浪体。
前述的一种太阳能电池主栅线结构,其特征在于:S型波浪体主栅线为实心或镂空状。
前述的一种太阳能电池主栅线结构,其特征在于:S型波浪体主栅线数量为2~6根。
本实用新型所达到的有益效果:本实用新型可以降低银浆耗量约10%,并提高FF值,降低串联电阻,最终输出效率提升约2%。
附图说明
图1为本实用新型的电池主栅块状单元结构示意图;
图2为本实用新型实施例一的三主栅电池主栅线结构示意图;
图3为本实用新型实施例二的四主栅电池主栅线结构示意图;
图4为本实用新型实施例三的四主栅电池主栅线结构示意图;
图5为现有技术中电池主栅线结构示意图。
具体实施方式
下面对本实用新型作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案,而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
实施例一:
本实用新型的一种太阳能电池主栅结构,未验证其银浆耗量和电性能结果,现进行如下实验:
实验选取156mm×156mm多晶硅片100片,采用某网版公司提供的线宽32μm的正面电极网版,网版设计采用本实用新型中的三主栅S型波浪状设计,其α为25°,β为10°,A为0.3mm,其中每条主栅由多段长度不一的S型主栅与长度不一的矩形构成,B范围为5~15mm,图2所示,制作太阳电池。
实施例二:
本实用新型的一种太阳能电池主栅结构,未验证其银浆耗量和电性能结果,现进行如下实验:
实验选取156mm×156mm多晶硅片100片,采用某网版公司提供的线宽32μm的正面电极网版,网版设计采用本实用新型中的四主栅S型波浪状设计,其α为30°,β为5°,A为0.2mm,其中每条主栅由多段长度不一的S型主栅与长度不一的矩形构成,B范围为4~20mm,图3所示,制作太阳电池。
实施例三:
本实用新型的一种太阳能电池主栅结构,未验证其银浆耗量和电性能结果,现进行如下实验:
实验选取同实施例一同批次156mm×156mm多晶硅片100片,采用某网版公司提供的线宽32μm的正面电极网版,网版设计采用本实用新型中的四主栅线(如图4),主栅为S型波浪状,其α为40°,β为10°,A为0.4mm,其中每条主栅由多段长度不一的S型主栅与长度不一的矩形构成,B范围为7~25mm,制作太阳电池。
对比例一:
实验选取同实施例一同批次156mm×156mm多晶硅片100片,采用某网版公司提供的线宽32μm的正面电极网版,网版设计采用现有技术设计印刷网版,主栅为分段镂空状,如图5所示。
其银浆耗重和电性能对比数据如下:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的