[实用新型]基于三端半导体功率开关的RSD触发电路

权利要求书

1.一种基于三端半导体功率开关的RSD触发电路，其特征在于：包括 充电电路，放电主电路，RSD触发电路和控制电路；

所述放电主电路串联RSD触发电路，所述充电电路并联于主电路、RSD 触发电路两端；所述控制电路并联于充电电路和RSD触发电路两端；所述放 电主电路包括依序串联的RSD开关、磁环L、主电容C0和负载Z0；

所述RSD触发电路包括触发电容Cc，半导体开关K21、半导体开关K22， 磁开关Lc，磁开关L21、磁开关L22；

所述触发电容Cc、半导体开关K22，RSD开关，磁开关Lc，半导体开 关K21依序串联构成预充电流回路；

所述磁开关L21一端连接于半导体开关K21与磁开关LC的串联连接端、 另一端连接于半导体开关K22与触发电容Cc的串联连接端；

所述磁开关L22一端连接于RSD开关与半导体开关K22的串联连接端、 另一端连接于触发电容Cc与半导体开关K21的串联连接端。

2.如权利要求1所述一种基于三端半导体功率开关的RSD触发电路， 其特征在于：所述磁开关L21、磁开关L22由导线在铁氧体或环形微晶铁氧 体薄膜的磁芯上缠绕若干圈构成。

3.如权利要求2所述一种基于三端半导体功率开关的RSD触发电路， 其特征在于：包括磁开关L、半导体功率开关K21、半导体K22，二极管D211、 D213、D221、D223，磁开关L21、L22，支路阻抗Lc1、Lc2，触发回路阻抗 Lc；所述半导体功率开关K21、K22采用基于IGBT或功率MOSFET或IGCT 或GTO的半导体功率开关。