[实用新型]高压隔离光电耦合器

说明书

技术领域

本实用新型涉及光电技术领域，尤其是一种高压隔离光电耦合器。

背景技术

光电耦合器因为其独特的结构特点和不可替代的优点，得到了广泛的应用。随着光电子技术的不断发展，各种型号的光电耦合器不断诞生，性能也日趋稳定和完善，其应用领域也在不断地扩大。同时，各个应用领域对光电耦合器的性能指标也提出了更高的要求，使得光电耦合器的发展不断面临着新的技术难关和挑战，其中隔离电压就是制约其应用的一个重要因素，特别在航空航天、导弹、雷达等国防科技应用上，对光电耦合器提出了10KV以上的隔离电压的要求。常用的光电耦合器件的隔离电压在500至1500V之间，普通的高压隔离光电耦合器的隔离电压一般也在3500V以下。要想实现10KV以上的隔离电压，必须从器件的设计上和原材料上重新考虑。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：基于上述问题，提供一种。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种高压隔离光电耦合器，具有封装外壳和引脚，所述封装外壳内设有发光芯片和光感芯片，所述发光芯片安装在框架I上，光感芯片安装在框架II上，所述框架I和框架II相对设置，且发光芯片和光感芯片的光学中心在同一直线上，框架I和框架II间充填有双组份有机硅凝胶，框架I和框架II外填充白色环氧树脂，所述封装外壳采用陶瓷封装。

双组份有机硅凝胶具有良好的耐老化性能和物理机械性能，透明度高，聚光能力强，无毒等特点，作为框架I和框架II间的灌封材料，还可以起到防潮、防震的作用；封装外壳采用陶瓷封装，能很好地解决由于收缩应力的积累而导致器件失效影响其稳定性与可靠性。

进一步地，所述发光芯片通过导电胶安装在框架I上，光感芯片通过导电胶安装在框架II上。

进一步地，所述光感芯片包括光敏三极管，所述发光芯片包括红外发光二极管。

更进一步地，所述红外发光二极管烧结在氧化铍瓷片上，所述氧化铍瓷片的厚度为0.5～0.7mm。红外发光二极管在发光的同时有能量以热能的形式散发出来，热量一部分以辐射、对流的形式散发掉，其余大部分热量通过导电胶传递到氧化铍瓷片上，再通过氧化铍瓷片以辐射、对流、传导三种形式传递到管壳，最后散发到外部空间，选择氧化铍瓷片的厚度为0.5～0.7mm，以便更好散热。

本实用新型的有益效果是：本实用新型采用陶瓷封装外壳及双组份有机硅凝胶的内部灌封，大大地提高了器件的稳定性、可靠性，再加上设计简单、体积小、性能稳定、易于外部电路连接等有点，可广泛应用于雷达、航空、航天、导弹等系统上，能有效防止高压脉冲破坏电路系统。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型的外部结构示意图。

图2是图1中A方向上的结构示意图。

图3是本实用新型的内部结构示意图。

图4是本实用新型中红外发光二极管与氧化铍瓷片的结构示意图。

图中：1.封装外壳，2.引脚，3.发光芯片，4.光感芯片，5.框架I，6.框架II，7.双组份有机硅凝胶，8.白色环氧树脂，9.红外发光二极管，10.氧化铍瓷片。

具体实施方式

现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

如图1～3所示，一种高压隔离光电耦合器，具有封装外壳1和引脚2，封装外壳1内设有发光芯片3和光感芯片4，发光芯片3安装在框架I5上，光感芯片4安装在框架II6上，框架I5和框架II6相对设置，且发光芯片3和光感芯片4的光学中心在同一直线上，框架I5和框架II6间充填有双组份有机硅凝胶7，框架I5和框架II6外填充白色环氧树脂8，封装外壳1采用陶瓷封装。

在本实施例中，发光芯片3通过导电胶安装在框架I5上，光感芯片4通过导电胶安装在框架II6上，光感芯片4包括光敏三极管，发光芯片3包括红外发光二极管9，如图4所示，红外发光二极管9烧结在氧化铍瓷片10上，氧化铍瓷片10的厚度为0.5～0.7mm，优选厚度为0.65mm。

以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。