[实用新型]一种防止键合机台滑片的装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，具体涉及一种防止键合机台滑片的装置。

背景技术

在半导体制造技术中，为了增加设备数量，键合技术能将两片硅片粘合到一起，能有效增加单位面积内的设备数量，已被广泛应用。在两片硅片进行键合工艺时，最后距离50微米时机台探头会离开硅片，这时主要是靠硅片自身重力和分之间结合力去将两片硅片结合起来，这个过程中就会出现硅片滑片，只有部分黏在一起，滑片的硅片必须分开，这个动作会造成硅片刮伤，有可能直接报废。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种防止键合机台滑片的装置。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：

一种防止键合机台滑片的装置，包括键合机台上进行键合的硅片和键合台面，所述硅片和键合台面上下水平叠置，还包括至少三个设置在键合台面周围的梯形装置，所述梯形装置呈梯形块状，包括短侧面、长侧面和斜面，所述短侧面和键合台面贴合，且短侧面高度和键合台面厚度相同，所述长侧面相对短侧面设置且其高度大于所述短侧面的高度，所述斜面从所述长侧面的顶端向着硅片延伸到所述短侧面的顶端。

本实用新型的有益效果是：本实用新型可有效防止硅片键合时滑片，减少报废，节约成本。

在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。

进一步的，所述梯形装置均匀的分布在键合台面周围。

进一步的，所述长侧面的高度大于所述硅片的厚度。

进一步的，所述斜面相对于水平的倾角α范围为45°-80°。

进一步的，所述斜面相对于水平的倾角α的值为75°。

进一步的，所述长侧面高度超过键合台面厚度的值L范围为2mm-4mm。

进一步的，所述长侧面高度超过键合台面厚度的值L的值为3mm。

采用上述进一步方案的有益效果是：本实用新型体积小，既能节省空间，又能达到有效的防滑片效果。

附图说明

图1为本实用新型装置使用时总体侧视图；

图2为本实用新型装置使用时总体俯视图；

图3为本实用单个新型梯形装置俯视图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

1、硅片；2、键合台面；3、梯形装置；4、梯形装置短侧面；5、梯形装置长侧面；6、梯形装置斜面。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。

如图2所示，一种防止键合机台滑片的装置，包括键合机台上进行键合的两片硅片1和键合台面2，所述硅片1和键合台面2上下水平叠置，还包括至少三个设置在键合台面2周围的梯形装置3。

如图1、图3所示，所述梯形装置3呈梯形块状，包括短侧面4、长侧面5和斜面6，所述短侧面4和键合台面2贴合，且短侧面4高度和键合台面2厚度相同，所述长侧面5相对短侧面4设置且其高度大于所述短侧面4的高度，所述斜面6从所述长侧面5的顶端向着硅片1延伸到所述短侧面4的顶端。

所述梯形装置3均匀的分布在键合台面2周围。

所述长侧面5的高度大于所述硅片1的厚度。

所述斜面6相对于水平的倾角α范围为45°-80°。

所述斜面6相对于水平的倾角α的值为75°。

所述长侧面5高度超过键合台面2厚度的值L范围为2mm-4mm。

所述长侧面5高度超过键合台面2厚度的值L的值为3mm。

键合时，在两片硅片对准之后，自由落体结合时，在键合台面四周增加梯形装置，防止硅片滑片。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。