[实用新型]一种用于生产印染材料的有防腐功能的反应釜有效
申请号: | 201620086229.6 | 申请日: | 2016-01-28 |
公开(公告)号: | CN205308337U | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 李福泉 | 申请(专利权)人: | 厦门大邦瑞达印染材料有限公司 |
主分类号: | B01J19/18 | 分类号: | B01J19/18;B01J19/02 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 杨依展 |
地址: | 361000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 生产 印染 材料 防腐 功能 反应 | ||
技术领域
本实用新型涉及反应釜技术领域,尤其是一种用于生产印染材料的有防腐功能的反应 釜。
背景技术
印染原料通常在反应釜中搅拌而成,然而,现有技术中用于生产印染材料的反应釜对 在印染原料进行搅拌的过程中存在反应不充分的技术问题,导致印染原料的粒度均一性不 佳,并且,现有的用于生产印染材料的反应釜容易与印染原料中的金属离子发生化学反应 从而影响反应釜的使用寿命,因此,有必要对现有技术中用于生产印染材料的反应釜作出 改进,用于解决现有技术中存在的技术问题。
实用新型内容
为了解决现有技术中存在的上述问题,本实用新型提供一种搅拌均匀且使用寿命长的 用于生产印染材料的有防腐功能的反应釜。
本实用新型提供的技术方案如下:一种用于生产印染材料的有防腐功能的反应釜,它 包括反应釜主体和上壳体,所述上壳体盖设在所述反应釜主体上方的,所述反应釜主体中 设置有搅拌轴和搅拌桨,所述搅拌轴的中端连接于所述搅拌桨的中心位置上,所述上壳体 上设置有搅拌电机,所述搅拌轴的上端与所述搅拌电机连接,所述搅拌电机在驱动所述搅 拌轴转动的同时带动所述搅拌桨在所述反应釜主体中做搅拌转动动作,所述反应釜主体的 内层设置为陶瓷层。
在本实用新型的较佳实施例中,所述陶瓷层设置为珐琅层。
在本实用新型的较佳实施例中,所述搅拌电机设置为立式电机,所述搅拌电机设置于 所述上壳体的正上方正中位置。
在本实用新型的较佳实施例中,所述上壳体上开设有进料口,所述进料口倾斜设置 在所述上壳体上。
在本实用新型的较佳实施例中,所述上壳体上还设置有蓄水罐,所述蓄水罐上连接 有进水管,所述进水管的一端深入所述反应釜主体中。
在本实用新型的较佳实施例中,所述进料口配设有可开合的进料盖,所述进料口与 所述进料盖之间设置有密封垫圈。
在本实用新型的较佳实施例中,所述上壳体上还设置有单向气阀。
本实用新型产生的有益效果在于:本实用新型中的一种用于生产印染材料的有防腐功 能的反应釜通过在反应釜主体中设置有搅拌轴和搅拌桨,上壳体上设置有搅拌电机,搅拌 电机在驱动搅拌轴转动的同时带动搅拌桨在反应釜主体中做搅拌转动动作,另外,反应釜 主体的内层设置为陶瓷层,能够有效防止印染原料在搅拌过程中与反应釜内壁发生化学反 应从而影响反应釜的使用寿命,因此该用于生产印染材料的有防腐功能的反应釜具有搅拌 均匀且使用寿命长的优点。
附图说明
图1为本实用新型的一种用于生产印染材料的有防腐功能的反应釜的主要结构示意 图。
具体实施方式
参见图1,该一种用于生产印染材料的有防腐功能的反应釜包括反应釜主体10和上 壳体20,上壳体20盖设在反应釜主体10上方的,反应釜主体10中设置有搅拌轴30和 搅拌桨40,搅拌轴30的中端连接于搅拌桨40的中心位置上,上壳体20上设置有搅拌电 机50,搅拌电机50设置为立式电机,搅拌电机50设置于上壳体20的正上方正中位置, 搅拌轴30的上端与搅拌电机50连接,搅拌电机50在驱动搅拌轴30转动的同时带动搅拌 桨40在反应釜主体10中做搅拌转动动作,反应釜主体10的内层11设置为陶瓷层,具体 设置为耐高温的珐琅层,上壳体20上开设有进料口21,进料口21倾斜设置在上壳体10 上,进料口21配设有可开合的进料盖211,进料口21与进料盖211之间设置有密封垫圈 2110,上壳体20上还设置有蓄水罐60,蓄水罐60上连接有进水管70,进水管70的一端 深入反应釜主体10中,上壳体20上还设置有单向气阀80。
综上所述,本实用新型中的一种用于生产印染材料的有防腐功能的反应釜通过在反应 釜主体10中设置有搅拌轴30和搅拌桨40,上壳体20上设置有搅拌电机50,搅拌电机 50在驱动搅拌轴30转动的同时带动搅拌桨40在反应釜主体10中做搅拌转动动作,另外, 反应釜主体10的内层11设置为陶瓷层,能够有效防止印染原料在搅拌过程中与反应釜内 壁发生化学反应从而影响反应釜的使用寿命,因此该用于生产印染材料的有防腐功能的反 应釜具有搅拌均匀且使用寿命长的优点。
上述仅为本实用新型的一个具体实施例,但本实用新型的设计构思并不局限于此,凡 利用此构思对本实用新型进行非实质性的改动,均应属于侵犯本实用新型保护范围的行 为。
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