[实用新型]不干扰TDD-LTE基站上行信号的手机信号屏蔽器

权利要求书

1.一种不干扰TDD-LTE基站上行信号的手机信号屏蔽器，其特征在于，该手机信号屏蔽器包括：天线、TDD-LTE基站下行功率检波模块、微处理器、场强检测模块、网络通讯模块、数控开关、屏蔽器电源以及至少一个屏蔽模块，其中：

所述TDD-LTE基站下行功率检波模块设置在天线与微处理器之间，由天线接收到的TDD-LTE基站下行信号经由该TDD-LTE基站下行功率检波模块检测后转换成方波信号，再传输至微处理器；

微处理器接收TDD-LTE基站下行功率检波模块传输的方波信号进行采样分析，并基于TDD-LTE协议匹配结果发送控制信号至数控开关；

所述数控开关连接至所述微处理器，用于根据微处理器输出的控制信号通过对屏蔽模块电源的控制来实现屏蔽模块的开启和关断控制；

所述场强检测模块连接至所述微处理器，基于微处理器接收到的方波信号进行场强检测，输出TDD-LTE基站下行信号的场强信息；

所述网络通讯模块与所述微处理器连接，提供微处理器与外部的计算处理设备之间的通讯接口。

2.根据权利要求1所述的不干扰TDD-LTE基站上行信号的手机信号屏蔽器，其特征在于，所述数控开关为场效应管，该场效应管设置在微处理器与屏蔽模块电源之间，并可由微处理器控制而控制屏蔽模块的开启和关断。

3.根据权利要求1所述的不干扰TDD-LTE基站上行信号的手机信号屏蔽器，其特征在于，所述数控开关为射频单刀双掷开关。

4.根据权利要求1所述的不干扰TDD-LTE基站上行信号的手机信号屏蔽器，其特征在于，所述TDD-LTE基站下行功率检波模块采用型号为AD8314的射频功率检波器，其工作频率范围为100MHz至2.7GHz。

5.根据权利要求1所述的不干扰TDD-LTE基站上行信号的手机信号屏蔽器，其特征在于，所述微处理器采用型号为STM32F373CCT6的微控制器。

6.根据权利要求1所述的不干扰TDD-LTE基站上行信号的手机信号屏蔽器，其特征在于，所述网络通讯模块采用网络控制器和网线接口构成，其中网络控制器采用ENC28J60芯片，使用HR911105A网络插座变压器作为网线接口。

7.根据权利要求1所述的不干扰TDD-LTE基站上行信号的手机信号屏蔽器，其特征在于，还包括微处理器电源，与所述微处理器连接用于为微处理器供电。