[实用新型]一种银面高压平面式MOS肖特基二极管有效
| 申请号： | 201620108815.6 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN205542759U | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 黄仲濬;蒋文甄 | 申请（专利权）人： | 泰州优宾晶圆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225500 江苏省泰州市姜*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 平面 mos 肖特基 二极管 | ||
【说明书】：
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