[实用新型]一种人工合成的石墨膜有效
申请号: | 201620112994.0 | 申请日: | 2016-02-04 |
公开(公告)号: | CN205380957U | 公开(公告)日: | 2016-07-13 |
发明(设计)人: | 杨云胜;杨星;郭颢;蒋伟良 | 申请(专利权)人: | 镇江博昊科技有限公司 |
主分类号: | B32B27/28 | 分类号: | B32B27/28;B32B27/06;B32B27/16;B32B33/00 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 人工合成 石墨 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种人工合成的高纯度石墨膜,适合用于各种电子产品的电路板及芯片。
背景技术
目前人工合成的石墨膜,主要应用于空间有限的电子设备中,如手机、PAD等的高功率芯片、各种电子产品的电池、无线基站等需要降温的环境。信息产品散热市场上,高端石墨高导热膜的生产主要由松下等跨国公司垄断;国产石墨高导热膜由于性能、品质等原因,只能占领初级市场,甚至难为客户提供整张的A级石墨高导热膜品。
发明内容
针对以上情况,本实用新型的目的在于提供了一种新型大尺寸高纯度石墨膜,该产品采用将聚乙烯亚胺膜压合后,经过炭化炉的处理,使得聚乙烯亚胺膜的分子结构发生改变,使得材料径向尺寸变大。
本实用新型的技术方案是通过以下方式实现的:一种人工合成的石墨膜,由上防护膜、石墨膜、下防护膜组成,石墨膜位于上防护膜和下防护膜的中间,其特征在于:所述的石墨膜由80层聚酰亚胺薄膜叠加而层。
所述的石墨膜在径向方向逐渐变大,在厚度方向逐渐减小。
本实用新型,解决了大尺寸石墨膜在石墨化结构形成过程中一致性差的问题,产品厚度公差范围控制在±2μm以内;密度达到2.25g/cm3左右,石墨化率可以达到74.4%。可用于空间有限的电子设备中,如手机、PAD等的高功率芯片、各种电子产品的电池、无线基站等需要降温的环境。
附图说明
图1是本实用新型结构示意图。
图2是石墨膜的示意图。
具体实施方式
由图1知,一种人工合成的石墨膜,由上防护膜1、石墨膜2、下防护膜3组成,所述的上防护膜1和下防护膜3附着在石墨膜2上。
由图2知,所述的石墨膜2是由80层聚酰亚胺薄膜叠加而层。叠层的石墨膜2放入碳化炉体内进行加热。碳化炉将聚乙烯亚胺膜进行碳化,石墨膜2在2500℃-2800℃的炭化炉中进行炭化处理,再经过200kg/cm2机械加压而成。石墨膜2的密度逐渐的变大,其径向面积逐渐变大,而石墨膜2的厚度逐渐变小。直到被加热到2800℃后,石墨膜2的密度达到2.25g/cm3左右,石墨化率可以达到74.4%。
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