[实用新型]一种直流功率变换电路有效
申请号: | 201620138772.6 | 申请日: | 2016-02-19 |
公开(公告)号: | CN205377659U | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 马建如 | 申请(专利权)人: | 常州信息职业技术学院 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213164 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 直流 功率 变换 电路 | ||
1.一种直流功率变换电路,包括输入直流电源、开关管驱动电路、开关管电路、开关电容电路和变频控制电路,其特征在于:输入直流电源与开关管驱动电路、开关管电路及变频控制电路连接,开关管驱动电路与开关管电路、变频控制电路及输入直流电源连接,开关管电路与开关管驱动电路、开关电容电路及输入直流电源连接,开关电容电路与开关管电路及负载连接,变频控制电路与开关管驱动电路、输入直流电源连接。
2.根据权利要求1所述的一种直流功率变换电路,其特征在于:输入直流电源的正端与变频控制电路的输入端、开关管驱动电路电阻R1的上端、电容C4的上端、开关管电路MOS场效应开关管TI的漏极D端、电容C6的上端汇接,输入直流电源的负端与开关管驱动电路电容C1、C2、C4、的下端、半桥驱动集成电路IR2153的COM端、开关管电路MOS场效应开关管T2的源极S端、电容C5的下端、开关电容电路二极管D3、D4的正端、电容C8的下端、负载的下端及地汇接。
3.根据权利要求1所述的一种直流功率变换电路,其特征在于:开关管驱动电路由电阻R1、R2、电容C1、C2、C3、C4、二极管D5、半桥驱动集成电路IR2153组成,电阻R1的上端与输入直流电源的正端、变频控制电路的输入端、电容C4的上端、开关管电路MOS场效应管开关管TI的漏极D端、电容C6的上端汇接,电阻R1的下端与电容C1的上端、二极管D5的正端、半桥驱动集成电路IR2153的VCC端汇接,电阻R2的上端与半桥驱动集成电路IR2153的RT端相接,电阻R2的下端与变频控制电路的输出端、电容C2的上端、半桥驱动集成电路IR2153的CT端相接,电容C1的上端与电阻R1的下端、二极管D5的正端、半桥驱动集成电路IR2153的VCC端汇接,电容C1的下端与输入直流电源的负端、电容C2、C4的下端、半桥驱动集成电路IR2153的COM端、开关管电路MOS场效应开关管T2的源极S端、电容C5的下端、开关电容电路二极管D3、D4的正端、电容C8的下端、负载的下端及地汇接,电容C2的上端与电阻R2的下端、变频控制电路的输出端、半桥驱动集成电路IR2153的CT端汇接,电容C2的下端与输入直流电源的负端、电容C1、C4的下端、半桥驱动集成电路IR2153的COM端、开关管电路MOS场效应开关管T2的源极S端、电容C5的下端、开关电容电路二极管D3、D4的正端、电容C8的下端、负载的下端及地汇接,电容C3的上端与二极管D5的负端、半桥驱动集成电路IR2153的VB端相接,电容C3的下端与半桥驱动集成电路IR2153的VS端相接,电容C4的上端与输入直流电源的正端、变频控制电路的输入端、电阻R1的上端、开关管电路MOS场效应管开关管TI的漏极D端、电容C6的上端汇接,电容C4的下端与输入直流电源的负端、电容C1、C2的下端、半桥驱动集成电路IR2153的COM端、开关管电路MOS场效应开关管T2的源极S端、电容C5的下端、开关电容电路二极管D3、D4的正端、电容C8的下端、负载的下端及地汇接,半桥驱动集成电路IR2153的VCC端与电阻R1的下端、电容C1的上端、二极管D5的正端汇接,半桥驱动集成电路IR2153的RT端与电阻R2的上端相接,半桥驱动集成电路IR2153的CT端与电阻R2的下端、电容C2的上端、变频控制电路的输出端相接,半桥驱动集成电路IR2153的COM端与输入直流电源的负端、电容C1、C2、C4的下端、开关管电路MOS场效应开关管T2的源极S端、电容C5的下端、开关电容电路二极管D3、D4的正端、电容C8的下端、负载的下端及地汇接,半桥驱动集成电路IR2153的VB端与二极管D5的负端、电容C3的上端汇接,半桥驱动集成电路IR2153的HO端与开关管电路MOS场效应开关管T1的栅极G端相接,半桥驱动集成电路IR2153的VS端与电容C3的下端相接,半桥驱动集成电路IR2153的LO端与开关管电路MOS场效应开关管T2的栅极G端相接,二极管D5的正端与电阻R1的下端、电容C1的上端、半桥驱动集成电路IR2153的VCC端汇接,二极管D5的负端与半桥驱动集成电路IR2153的VB端、电容C3的上端汇接。
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