[实用新型]沟槽栅超结MOSFET器件有效
| 申请号： | 201620257793.X | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN205488139U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 白玉明;钱振华;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;屠志力 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 栅超结 mosfet 器件 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡同方微电子有限公司，未经无锡同方微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201620257793.X/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
