[实用新型]使用G-D同面的MOSFET实现反向阻断的多芯片封装结构有效
| 申请号： | 201620258046.8 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN205488094U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 白玉明;杜丽娜;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 mosfet 实现 反向 阻断 芯片 封装 结构 | ||
【说明书】：
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