[实用新型]高导热有机基板

说明书

一种高导热有机基板，包括依次层叠的第一铜箔层、高导热介电层和第二铜箔层，所述高导热介电层为双马来酰亚胺‑氰酸酯树脂和导热填料的复合物层，所述高导热介电层的厚度为20μm～80μm。上述高导热有机基板，不仅具有普通有机基板的属性，而且由于采用高导热介电层作为支撑层，具有优异的散热能力，所得产品具有高的导热性能，能够作为电子器件芯片的封装基板使用。

技术领域

本实用新型涉及一种高导热有机基板。

背景技术

随着后摩尔时代的到来，三维集成技术由传统的二维集成向2.5维或更高级的三维集成方向发展。随之带来的热量聚集问题已经成为阻碍三维集成器件发展的首要问题。依照阿雷纽斯法则，电子器件温度每升高10℃，其寿命会降低一半。电子封装基板是电子封装系统中的重要组成部分。基板的作用是搭载、固定电子元器件，利用其表面或内部形成的电路图形，进行电路连接，同时兼有绝缘、导热隔离及保护元器件的作用。有机基板以其优异的加工性能、低成本、和优异的力学性能已经成为电子器件首选的基板材料。传统的有机基板的导热系数大多低于1.0Wm^-1K^-1，导热系数较低。

实用新型内容

鉴于此，有必要提供了一种导热性能较好的高导热有机基板。

一种高导热有机基板，包括依次层叠的第一铜箔层、高导热介电层和第二铜箔层，所述高导热介电层为双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和导热填料的复合物层，所述高导热介电层的厚度为20μm～80μm。

在其中一个实施例中，所述第一铜箔层为电解铜箔层或压延铜箔层。

在其中一个实施例中，所述第二铜箔层为电解铜箔层或压延铜箔层。

在其中一个实施例中，所述第一铜箔层的厚度为12μm～35μm。

在其中一个实施例中，所述第二铜箔层的厚度为12μm～35μm。

在其中一个实施例中，所述高导热介电层为双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和氮化硼的复合物层。

在其中一个实施例中，所述高导热介电层为双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和氮化铝的复合物层。

在其中一个实施例中，所述高导热介电层为双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和三氧化二铝的复合物层。

在其中一个实施例中，所述高导热介电层为双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和碳化硅的复合物层。

上述高导热有机基板，包括依次层叠的第一铜箔层、高导热介电层和第二铜箔层，不仅具有普通有机基板的属性，而且由于采用高导热介电层作为支撑层，具有优异的散热能力，所得产品具有高的导热性能，能够作为电子器件芯片的封装基板使用。

附图说明

图1为一实施方式的高导热有机基板的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清晰，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

请参阅图1，一实施方式的高导热有机基板100，包括依次层叠的第一铜箔层10、高导热介电层20和第二铜箔层30。

第一铜箔层10的厚度为12μm～35μm。第一铜箔层10为电解铜箔层或压延铜箔层。

高导热介电层20的厚度为20μm～80μm。高导热介电层20的导热系数为0.5Wm^-1K^-1～3Wm^-1K^-1。高导热介电层20为双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和导热填料的复合物层。