[实用新型]一种N型氮化镓基发光二极管有效
| 申请号： | 201620436066.X | 申请日： | 2016-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN206210825U | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 陆俊 | 申请（专利权）人： | 苏州新纳晶光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司32102 | 代理人： | 陆明耀 |
| 地址： | 215021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种N型氮化镓基发光二极管，包括外延层结构，其特征在于：所述外延层结构包括从上至下依次设置的蓝宝石衬底（1）、氮化镓缓冲层（2）、非掺杂氮化镓层（3）、硅掺杂的n 型氮化镓层（4）、硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层（5）、铟镓氮- 氮化镓多量子阱有源发光层（6）、铝掺杂氮化镓层（7）、镁掺杂的p 型氮化镓层（8）以及透明导电层（9），所述透明导电层（9）上设置有p 型电极（10），所述硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层（5）上还设置有n 型电极（11）；
所述氮化镓缓冲层（2）的厚度﹤所述硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层（5）的厚度﹤硅掺杂的n 型氮化镓层（4）的厚度。
2.根据权利要求1所述的一种N型氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述氮化镓缓冲层（2）的厚度为15-25nm，所述硅掺杂的n 型氮化镓层（4）的厚度为2-3μm。
3.根据权利要求1所述的一种N型氮化镓基发光二极管，其特征在于：铟镓氮-氮化镓多量子阱有源发光层（6）的周期数为5-10个周期。
4.根据权利要求1所述的一种N型氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述镁掺杂的p 型氮化镓层（8）的厚度为30-50nm。
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