[实用新型]驱动电路、集成半导体电路和用于驱动电路的器件

说明书

技术领域

本说明书涉及驱动电路。

一个或多个实施例可以涉及用于例如在高电压半桥开关电路中使用的驱动电路。

背景技术

高电压(HV)半桥开关电路可以用在各种应用中，诸如例如电机驱动、用于荧光灯的电子镇流器和供应。这样的半桥电路可以采用跨HV电轨DC电压供应放置的成对的图腾式连接的开关元件(例如功率MOSFET、IGBT、FET和GaN器件)。

鉴于各种可能的应用，寻求一种驱动电路的持续改进。

实用新型内容

根据本公开的第一方面，提供一种驱动电路，包括：第一晶体管和第二晶体管，其中所述第一晶体管被设置在自举端子与DC电压供应端子之间的共源共栅布置中，并且所述第二晶体管被耦合在所述自举端子与感测比较器之间，其中所述感测比较器被设置在所述第二晶体管与所述DC电压供应端子之间；所述第一晶体管和所述第二晶体管具有与所述DC电压供应端子耦合的公共控制端子以及耦合至所述自举端子的公共耦合端子；以及其中所述第一晶体管和所述第二晶体管组合操作以在对供应电容器充电以驱动功率开关时在所述DC电压供应端子与所述自举端子之间提供高电压低压降的类二极管传导路径，其中所述供应电容器被设置在所述自举端子与输出端子之间，所述输出端子在低电压DC电压与高电压DC电压之间交替地可切换。

根据本公开的第二方面，提供一种集成半导体电路，包括：耦合在自举节点与输出节点之间的供应电容器，所述输出节点在低电压与高电压之间交替地可切换；驱动电路，耦合至供应电压节点和所述自举节点并且被配置成对所述供应电容器充电，所述驱动电路包括：具有耦合在所述自举节点与所述供应电压节点之间的信号节点的第一晶体管，所述第一晶体管具有耦合至所述供应电压节点的控制节点；具有耦合在所述自举节点与感测节点之间的信号节点的第二晶体管，所述第二晶体管具有耦合至所述供应电压节点的控制节点；具有耦合至所述感测节点的第一输入以及耦合至所述供应电压节点的第二输入的感测比较器；以及隔离阱口袋，其中所述驱动电路的所述第一晶体管和所述第二晶体管被集成在所述隔离阱口袋中。

根据本公开的第三方面，提供一种用于驱动电路的器件，包括：用于驱动功率开关的电容器，其中所述电容器被设置在自举端子与在低电压DC电压与高电压DC电压之间交替地可切换的输出端子之间，驱动电路，耦合至供应电压端子和所述自举端子并且被配置成对所述电容器充电，所述驱动电路包括：具有耦合在所述自举端子与所述供应电压端子之间的信号节点的第一晶体管，所述第一晶体管具有耦合至所述供应电压端子的控制节点；具有耦合在所述自举端子与感测节点之间的信号节点的第二晶体管，所述第二晶体管具有耦合至所述供应电压端子的控制节点；具有耦合至所述感测节点的第一输入以及耦合至所述供应电压端子的第二输入的感测比较器；以及半桥开关器件，耦合至所述驱动电路，所述半桥开关器件包括所述第一功率开关以及与所述第一功率开关串联耦合的第二功率开关。

附图说明

现在参考附图仅作为示例来描述一个或多个实施例，在附图中：

图1是半桥开关电路的示意性表示；

图2是根据本公开的一个或多个实施例的驱动电路的框图；

图3是根据本公开的一个或多个实施例的驱动电路的示例性电路图；以及

图4a、图4b和图5是集成半导体器件中的一个或多个实施例的可能集成的例示。

具体实施方式

在随后的描述中，说明一个或多个具体细节，目的是提供对实施例的示例的深度理解。可以在没有这些具体细节中的一个或多个的情况下或者在其他方法、组成、材料等的情况下来获得这些实施例。在其他情况下，没有详细说明或描述已知的结构、材料或操作，以免模糊示例的某些方面。

本描述的框架中对“实施例”或“一个实施例”的提及意图表示关于该示例描述的特定的配置、结构或特性被包括在至少一个实施例中。因此，可能在本描述的一个或多个地方出现的诸如“在示例中”或者“在一个实施例中”等短语不一定指代同一个实施例。另外，在一个或多个实施例中，可以按照任何适当的顺序对特定的构造、结构或特性进行组合。

本文中所使用的附图标记仅出于方便的目的而提供，因此没有定义保护范围或者实施例的范围。

高电压半桥开关电路可以用在各种应用中，诸如电机驱动、用于荧光灯的电子镇流器和功率供应。

诸如例如US5883547(EP 0743752B1与其对应)、US6031412 A、US6060948A、US6075391A和WO94/27370A1等文档通常是现有技术的例示。