[实用新型]一种KU频段PCB电路结构有效
| 申请号： | 201620483384.1 | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN206135888U | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 郭印 | 申请（专利权）人： | 普视达（惠州）电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H04B1/16 | 分类号： | H04B1/16 |
| 代理公司： | 东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙)44251 | 代理人： | 刘汉民 |
| 地址： | 516000*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ku 频段 pcb 电路 结构 | ||
1.一种KU频段PCB电路结构，其组成包括：集成电路(5)，其特征是：所述的集成电路(5)分别与信号输出和电源输出端口(7)、低噪声放大器电性连接，所述的集成电路(5)采用RT320。
2.根据权利要求1所述的KU频段PCB电路结构，其特征是：所述的集成电路(5)成VCO压控振荡器、PLL锁相环(2)、miser混频器一(4)、miser混频器二(11)、交换机(6)、电压探测器(8)、场效应晶体管探测器(3)，所述的miser混频器一(4)和miser混频器二(11)的输出端通过一组并联的放大器(9)与交换机(6)电性连接，所述的miser混频器一(4)和miser混频器二(11)之间通过OSC电路电性连接。
3.根据权利要求1或2所述的KU频段PCB电路结构，其特征是：所述的低噪声放大器包括CKRF3513第一极低噪声放大器(13)和CKRF7513第二极低噪声放大器(14)，所述的CKRF7513第二极低噪声放大器(14)输入端与CKRF3513第一极低噪声放大器(13)电性连接，所述的CKRF3513第一极低噪声放大器(13)输入端与H极化信号输入端口(1)电性连接，所述的CKRF3513第一极低噪声放大器(13)和CKRF7513第二极低噪声放大器(14)的输入端与场效应晶体管探测器(3)电性连接，所述的CKRF7513第二极低噪声放大器(14)通过放大器(9)与miser混频器连接。
4.根据权利要求2所述的KU频段PCB电路结构，其特征是：所述的交换机(6)通过放大器与信号输出和电源输出端口(7)和电压探测器(8)电性连接，所述的OSC电路包括HBOSC电路(12)和LBOSC电路(10)，所述的括HBOSC电路(12)和LBOSC电路(10)并联布置，所述的HBOSC电路(12)与PLL锁相环(2)电性连接。
5.根据权利要求2所述的KU频段PCB电路结构，其特征是：所述的电压探测器(8)为四组，所述的信号输出和电源输出端口(7)为四组，所述的交换机(6)采用4*2矩阵交换机。
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