[实用新型]一种氮化镓基大功率芯片散热结构有效
| 申请号： | 201620504251.8 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN205789931U | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张自锋;余建立 | 申请（专利权）人： | 巢湖学院 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所34115 | 代理人： | 金凯 |
| 地址： | 238000*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 大功率 芯片 散热 结构 | ||
【权利要求书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于巢湖学院，未经巢湖学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201620504251.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型半导体散热组装装置
- 下一篇：采用微热电发电机的3D芯片
