[实用新型]图像传感器有效

专利信息
申请号: 201620520601.X 申请日: 2016-06-01
公开(公告)号: CN206134684U 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: S·伯萨克;M·塞弗里格;V·克洛伯夫 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L27/148
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 申发振
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括:

第一管芯,所述第一管芯包括适于将光子转变成电子的多个探测器;

第二管芯,所述第二管芯包括多个以下项中的一者:晶体管、无源电子部件以及晶体管和无源电子部件两者;

第三管芯,所述第三管芯包括以下项中的一者:模拟电路、逻辑电路、模拟电路和逻辑电路;

其中所述第一管芯混合接合至所述第二管芯;

其中所述第二管芯熔合接合至所述第三管芯;

其中所述第二管芯的多个以下项中的一者适于启用所述第一管芯的多个像素的操作:晶体管、无源电子部件以及晶体管和无源电子部件两者;并且

其中所述第三管芯的模拟电路、逻辑电路、模拟电路和逻辑电路中的一者适于执行信号路由。

2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述第二管芯采用氧化物/氧化物熔合接合的方式被接合至所述第三管芯。

3.根据权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,所述第二管芯包括深沟槽隔离(DTI)结构,所述深沟槽隔离结构被构造为在形成直通氧化物通孔(TOV)期间保护多个以下项中的一者:所述晶体管、无源电子部件以及晶体管和无源电子部件两者。

4.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述第二管芯采用混合接合的方式被接合至所述第三管芯。

5.根据权利要求4所述的图像传感器,其特征在于,所述第二管芯包括一个或多个直通硅通孔(TSV)。

6.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于还包括多个微透镜,所述多个微透镜耦接至所述第一管芯的所述多个像素的表面。

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