[实用新型]图像传感器有效
申请号: | 201620520601.X | 申请日: | 2016-06-01 |
公开(公告)号: | CN206134684U | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | S·伯萨克;M·塞弗里格;V·克洛伯夫 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括:
第一管芯,所述第一管芯包括适于将光子转变成电子的多个探测器;
第二管芯,所述第二管芯包括多个以下项中的一者:晶体管、无源电子部件以及晶体管和无源电子部件两者;
第三管芯,所述第三管芯包括以下项中的一者:模拟电路、逻辑电路、模拟电路和逻辑电路;
其中所述第一管芯混合接合至所述第二管芯;
其中所述第二管芯熔合接合至所述第三管芯;
其中所述第二管芯的多个以下项中的一者适于启用所述第一管芯的多个像素的操作:晶体管、无源电子部件以及晶体管和无源电子部件两者;并且
其中所述第三管芯的模拟电路、逻辑电路、模拟电路和逻辑电路中的一者适于执行信号路由。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述第二管芯采用氧化物/氧化物熔合接合的方式被接合至所述第三管芯。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,所述第二管芯包括深沟槽隔离(DTI)结构,所述深沟槽隔离结构被构造为在形成直通氧化物通孔(TOV)期间保护多个以下项中的一者:所述晶体管、无源电子部件以及晶体管和无源电子部件两者。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述第二管芯采用混合接合的方式被接合至所述第三管芯。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其特征在于,所述第二管芯包括一个或多个直通硅通孔(TSV)。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于还包括多个微透镜,所述多个微透镜耦接至所述第一管芯的所述多个像素的表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司,未经半导体元件工业有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201620520601.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种扇出型封装结构
- 下一篇:一种AMOLED显示面板结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的