[实用新型]一种对销状Si3N4‑hBN陶瓷复合材料加工圆角的实验装置有效
申请号: | 201620546612.5 | 申请日: | 2016-06-07 |
公开(公告)号: | CN205673974U | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 陈威;孙建建;文怀兴 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | B24B9/06 | 分类号: | B24B9/06;B24B41/02;G01N3/56 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 岳培华 |
地址: | 710021 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 si3n4 hbn 陶瓷 复合材料 加工 实验 装置 | ||
【说明书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西科技大学,未经陕西科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201620546612.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 用燃烧合成高α相超细氮化硅粉体及氮化硅晶须的方法
- 表面致密多孔氮化硅陶瓷透波材料的制备方法
- 一种多孔Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>基体表面覆涂h-BN涂层的方法
- 一种表面改性纳米Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>粉体及其用途
- 低泄漏GaN MOSFET
- Ni金属膜覆盖Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>衬底生长浓度可控石墨烯材料的方法
- 具有Al‑Si3N4‑Ti/Ni/Ag结构的快恢复二极管
- 一种Si3N4基复合陶瓷及其制备方法
- 一种Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>/SiON复合膜、激光器芯片及制备方法
- 纳米非晶原位合成氮化硅晶须