[实用新型]用于生成恒定电流的电路有效
| 申请号： | 201620746234.5 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN206906916U | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 大西章申 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | G05F1/565 | 分类号： | G05F1/565 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 生成 恒定 电流 电路 | ||
1.一种用于生成恒定电流的电路，其特征在于：所述电路包括：
第一电流发生器，所述第一电流发生器传导基于电源电压和电阻元件的第一电流；
第二电流发生器，所述第二电流发生器基于所述第一电流生成第二电流，其中所述第二电流随着所述第一电流增大而减小，以及随着所述第一电流减小而增大；以及
求和电路，所述求和电路用于对与所述第一电流和第二电流成比例的电流求和以生成输出电流。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于：所述求和电路包括：
第一电流镜，所述第一电流镜用于提供与所述第一电流成比例的第一镜像电流；
第二电流镜，所述第二电流镜用于提供与所述第二电流成比例的第二镜像电流；以及
求和装置，所述求和装置用于对所述第一镜像电流和第二镜像电流求和来提供第一基准电流。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于：所述电路进一步包括：
第三电流镜，所述第三电流镜用于提供与所述第一基准电流成比例的第二基准电流。
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于：所述第一电流镜使用n沟道MOSFET且所述第三电流镜使用p沟道MOSFET，或者所述第一电流镜使用p沟道MOSFET且所述第三电流镜使用n沟道MOSFET。
5.根据权利要求3所述的电路，其特征在于：所述第三电流镜包括至少两个MOSFET，所述至少两个MOSFET基于所述第一镜像电流和第二镜像电流之和生成两个恒定的电流源输出。
6.根据权利要求2所述的电路，其特征在于：所述第二电流镜使用与所述第一电流镜相同类型的MOSFET。
7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于：基于所述电源电压和所述电阻元件的所述第一电流随着温度增大而增大。
8.根据权利要求2所述的电路，其特征在于：所述第二镜像电流随着电路温度增大而减小。
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