[实用新型]一种双变压器全桥变换装置

权利要求书

1.一种双变压器全桥变换装置，其特征在于，包括：

全桥变换电路；

整流电路；

两个变压器，其初级绕组的头分别连接至所述全桥变换电路的桥臂上，所述两个变压器的初级绕组的尾连接，所述两个变压器的次级绕组的头分别连接所述整流电路的输入端，所述两个变压器的次级绕组的尾连接；

其中，通过所述两个变压器初次级绕组的连接，使所述全桥变换电路中的所述两个变压器分别在半波工作期间向负载提供能量。

2.如权利要求1所述的双变压器全桥变换装置，其特征在于，所述两个变压器包括第一变压器和第二变压器，所述第一变压器的和所述第二变压器的初级绕组的头分别连接至所述全桥变换电路的两个桥臂的中点，所述第一变压器和所述第二变压器的初级绕组的尾相互连接；

所述第一变压器和所述第二变压器的次级绕组的头分别连接至所述整流电路的输入端，所述第一变压器和所述第二变压器的次级绕组的尾相互连接，作为所述整流电路的输出端。

3.如权利要求2所述的双变压器全桥变换装置，其特征在于，所述全桥变换电路包括四个功率管，其分别第一功率管、第二功率管、第三功率管及第四功率管；

其中，所述第一功率管和所述第四功率管同时导通时，使电流流过由所述第一功率管、所述第二变压器的初级绕组、所述第一变压器的初级绕组及所述第四功率管构成第一半波回路；

其中，所述第二功率管和所述第三功率管同时导通时，使电流流过由所述第二功率管、所述第一变压器的初级绕组、所述第二变压器的初级绕组及所述第三功率管构成第二半波回路。

4.如权利要求3所述的双变压器全桥变换装置，其特征在于，还包括输入滤波电容，其用来输入直流电压，所述输入滤波电容的正极连接所述全桥变换电路的输入端，所述输入滤波电容的负极连接所述全桥变换电路的输出 端。

5.如权利要求4所述的双变压器全桥变换装置，其特征在于，还包括输出滤波电容，用来输出直流电压向所述负载提供能量，所述输出滤波电容的正极连接所述整流电路的输入端，所述输出滤波电容的负极连接所述整流电路的输出端。

6.如权利要求5所述的双变压器全桥变换装置，其特征在于，所述整流电路包括：

第一整流电路，其上设置第一整流单元，所述第一整流单元的正极与所述第一变压器的次级绕组的头连接，所述第一整流单元的负极与所述输出滤波电容的正极连接；

第二整流电路，其上设置第二整流单元，所述第二整流单元的正极与所述第二变压器的次级绕组的头连接，所述第二整流单元的负极与所述输出滤波电容的正极连接；

其中，所述第一整流单元的正极和所述第二整流单元的正极为所述第一整流电路的输入端和所述第二整流电路的输入端，即所述整流电路的输入端。

7.如权利要求6所述的双变压器全桥变换装置，其特征在于，所述第一半波回路与所述第二整流电路同时工作时，所述输出滤波电容向所述负载供电，所述第二半波回路与所述第一整流电路同时工作时，所述输出滤波电容向所述负载供电。

8.如权利要求3所述的双变压器全桥变换装置，其特征在于，所述四个功率管可以是MOSFET或者IGBT。

9.如权利要求6所述的双变压器全桥变换装置，其特征在于，所述第一整流单元和所述第二整流单元为二极管，MOSFET或IGBT中的一种，所述整流电路为全波方式或者全桥方式。

10.如权利要求7所述的双变压器全桥变换装置，其特征在于，还包括两个箝位电容，所述两个箝位电容串联在所述输入滤波电容的两端。