[实用新型]一种具有数据保护功能的RaidMezz卡有效

专利信息
申请号: 201620776953.1 申请日: 2016-07-22
公开(公告)号: CN206147581U 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 周亮;薛广营;吴浩 申请(专利权)人: 浪潮电子信息产业股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 济南信达专利事务所有限公司37100 代理人: 国建全
地址: 250101 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 数据 保护 功能 raidmezz
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及服务器存储设备技术领域,具体地说是一种具有数据保护功能的Raid Mezz卡。

背景技术

RAID卡是一种把多块独立的硬盘按不同方式组合起来形成一个硬盘阵列,从而提供比单个硬盘更高的存储性能和提供数据冗余的技术;RAID卡可以让很多磁盘驱动器同时传输数据,而这些磁盘驱动器在逻辑上又是一个磁盘驱动器,所以使用RAID可以达到单个的磁盘驱动器几倍、几十倍的性能。现有的RAID卡多采用PCIE标准卡的模式,扩展性较差,占用空间大,即使采用Raid Mezz卡模式,一般也没有数据保护功能。

发明内容

本实用新型的技术任务是解决现有技术的不足,提供一种具有数据保护功能的Raid Mezz卡。

本实用新型的技术方案是按以下方式实现的:

一种具有数据保护功能的Raid Mezz卡,其结构包括电路板,电路板表面设置有Raid控制器,电路板表面还设置有与Raid控制器相连的高速连接器、DDR3内存颗粒、Flash模块连接器和存储芯片组。Raid控制器位于电路板的表面中部,Raid控制器支持Raid等级有Raid0、1、5、6、10、50、60,Raid控制器还支持PCIE3.0x8及最多8个SAS3.0接口;高速连接器位于Raid控制器一侧,且高速连接器上设置有将外部主板连接于Raid控制器的PCIE3.0总线和SAS3.0总线; DDR3内存颗粒、Flash模块连接器和存储芯片组位于Raid控制器的相对侧,Raid控制器在进行数据处理时把相关数据短暂存储于DDR3内存颗粒,Flash模块连接器用于连接外部超级电容模块,以在电路板异常掉电时将正在进行处理的数据从DDR3内存颗粒通过Flash模块连接器到超级电容模块中,且在Raid控制器与外部存储设备交互数据时,Raid控制器将处理后的数据传输至存储芯片组。

在上述结构的基础上,存储芯片组包括用于存储控制器Firmware和配置程序的NAND Flash和NVRAM。

优选Raid控制器选用LSI3108。

优选高速连接器的个数为两个。

优选DDR3内存颗粒的个数为五个。

本实用新型的一种具有数据保护功能的Raid Mezz卡与现有技术相比所产生的有益效果是:

本实用新型设计合理,结构简单,用于服务器主板上SAS3.0接口及硬盘扩展,通过高速连接器引出PCIE3.0和SAS3.0总线,实现外部主板与Raid控制器之间的连接通信,减小电路板在外部主板上占用的空间,具有占用空间小、兼容性好、传输速度快、安全性高的优点。

附图说明

附图1是本实用新型水平放置时的结构俯视图;

附图2是本实用新型的结构原理图。

附图中的标记分别表示:

1、高速连接器,2、Raid控制器,3、DDR3内存颗粒,

4、Flash模块连接器,5、NAND Flash,6、NVRAM,7、电路板。

具体实施方式

下面结合附图1、2,对本实用新型的一种具有数据保护功能的Raid Mezz卡作以下详细说明。

如附图1、2所示,本实用新型的一种具有数据保护功能的Raid Mezz卡,其结构包括电路板7,电路板7表面设置有Raid控制器2,Raid控制器2选用LSI3108。

电路板7表面还设置有与Raid控制器2相连的高速连接器1、DDR3内存颗粒3、Flash模块连接器4和存储芯片组。

其中,高速连接器1的个数为两个。

DDR3内存颗粒3的个数为五个。

存储芯片组包括用于存储控制器Firmware和配置程序的NAND Flash 5和NVRAM 6。

Raid控制器2位于电路板7的表面中部,Raid控制器2支持Raid等级有Raid0、1、5、6、10、50、60,Raid控制器2还支持PCIE3.0x8及最多8个SAS3.0接口;高速连接器1位于Raid控制器2一侧,且高速连接器1上设置有将外部主板连接于Raid控制器2的PCIE3.0总线和SAS3.0总线。

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