[实用新型]带通滤波超材料、天线罩及天线有效

专利信息
申请号: 201620779729.8 申请日: 2016-07-21
公开(公告)号: CN206134946U 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 深圳光启高等理工研究院
主分类号: H01Q15/00 分类号: H01Q15/00;H01Q1/42
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,卢军峰
地址: 518057 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 滤波 材料 天线罩 天线
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及透波材料、低通天线罩及其他与电磁相关产品的保护壳领域,具体而言,涉及一种带通滤波超材料、以及具有该带通滤波超材料的天线罩和天线。

背景技术

与电磁相关的保护材料,通常要满足两方面的性能要求,一方面需要足够的机械强度保护其中的天线等物件,另一方面要保证工作频段内电磁波能具有高透波性。保护材料即能保护内部的设备,又不影响电磁波的传输特性。

为了保证电磁波的高效穿透性,一般采用半波长理论进行材料厚度设计,即厚度为工作频段电磁波波长的1/2时,电磁波透波率最好。但由于材料厚度与工作频段波长相关,很难保证良好的宽频段吸波性能。

现有天线罩通常是由低损耗的纯材料组成,只起到保护天线的作用,在可允许的范围内会影响天线的性能。

对于普通的纯材料,利用半波长理论或四分之一波长理论,根据频率的不同改变材料的厚度,调整其对入射电磁波的透波响应。因此,目前天线罩存在两方面的问题,其一是当入射电磁波波段较低时会使得天线罩厚度过大,进而重量偏大。其二是普通材料的透波性能比较均一,工作频段内透波,其相邻频段透波效果亦优,工作频段外的透波容易干扰天线的正常工作。

实用新型内容

针对相关技术中的问题,本实用新型提出带通滤波超材料、以及具有该带通滤波超材料的天线罩和天线,以实现在透波段具有优化的吸波性能,并在非工作频段具有优化的截止性能。

为了实现上述目的,本实用新型一方面提供一种带通滤波超材料,包括:多个基板;第一导电几何结构层,第一导电几何结构层由依次排布的多个第一导电几何结构单元组成,每个第一导电几何结构单元包括有第一导电外环边框;第二导电几何结构层,第二导电几何结构层由依次排布的多个第二导电几何结构单元组成,每个第二导电几何结构单元包括有第二导电外环边框;第三导电几何结构层,第三导电几何结构层由依次排布的多个第三导电几何结构单元组成,每个第三导电几何结构单元包括有第三导电外环边框;第四导电几何结构层,第四导电几何结构层由依次排布的多个第四导电几何结构单元组成,每个第四导电几何结构单元包括有第四导电外环边框;第一导电几何结构层、第二导电几何结构层、第三导电几何结构层及第四导电几何结构层在叠置方向上依次间隔设置在基板上,其中,第一导电外环边框、第二导电外环边框、第三导电外环边框、以及第四导电外环边框的所在区域在叠置方向上的投影至少部分重合。

根据本实用新型的一个实施例,第一导电几何结构单元、第二导电几何结构单元、第三导电几何结构单元及第四导电几何结构单元所在区域在叠置方向上的投影完全重合。

根据本实用新型的一个实施例,第一导电几何结构层上的多个第一导电外环边框一体连接设置;第二导电几何结构层上的多个第二导电外环边框一体连接设置;第三导电几何结构层上的多个第三导电外环边框一体连接设置;并且,第四导电几何结构层上的多个第四导电外环边框一体连接设置。

根据本实用新型的一个实施例,第一导电外环边框为第一正六边形环,第二导电外环边框为第二正六边形环,第三导电外环边框为第三正六边形环,第四导电外环边框为第四正六边形环。

根据本实用新型的一个实施例,第一正六边形环的线宽范围为0.4mm±5%。

根据本实用新型的一个实施例,第一正六边形环的外接圆直径范围为6.2mm±5%。

根据本实用新型的一个实施例,第二正六边形环的线宽范围为0.1mm±5%。

根据本实用新型的一个实施例,第二正六边形环的外接圆直径范围为5.2mm±5%。

根据本实用新型的一个实施例,第三正六边形环的线宽范围为0.1mm±5%。

根据本实用新型的一个实施例,第三正六边形环的外接圆直径范围为5.3mm±5%。

根据本实用新型的一个实施例,第四正六边形环的线宽范围为0.2mm±5%。

根据本实用新型的一个实施例,第四正六边形环的外接圆直径范围为5.0mm±5%。

根据本实用新型的一个实施例,第一导电几何结构单元、第二导电几何结构单元、第三导电几何结构单元以及第四导电几何结构单元均为正六边形结构。

根据本实用新型的一个实施例,第一导电几何结构单元、第二导电几何结构单元、第三导电几何结构单元以及第四导电几何结构单元均呈周期行列排布,相邻两行的第一导电几何结构单元、第二导电几何结构单元、第三导电几何结构单元及第四导电几何结构单元均错开设置。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳光启高等理工研究院,未经深圳光启高等理工研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201620779729.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top