[实用新型]一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构有效
申请号: | 201620803802.0 | 申请日: | 2016-07-28 |
公开(公告)号: | CN206259361U | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 霍元杰;王飞 | 申请(专利权)人: | 浙江长兴汉能薄膜太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/076 |
代理公司: | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙)33232 | 代理人: | 赵卫康 |
地址: | 313100 浙江省湖*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 电极 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,具体是一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构。
背景技术
非晶硅太阳能电池背电极结构主要作用是将入射光进行反射,在P-I-N光电转换层形成反射,增强光电转换层对光能量的吸收,增加电池转换效率,但现有的一些背电极结构存在缺陷,光电转换效率不能确保,而在应用于建筑时出现透光率低甚至无法正常透光的问题。
发明内容
本实用新型的技术目的在于提供一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构,解决传统太阳能电池背电极结构透光性能差的问题。
本实用新型的具体技术方案如下:一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构,包括玻璃衬底、设于所述玻璃衬底上的TCO膜层和设于所述TCO膜层上的Si基光电转换层,还包括设于所述Si基光电转换层上ITO层、设于所述ITO层上的Ag金属层和设于所述Ag金属层上的AZO层。
作为优选,所述ITO层的厚度为70~90nm。
作为优选,所述Ag金属层的厚度为2~4nm。
作为优选,所述AZO层的厚度为140~160nm。
作为优选,所述Si基光电转换层包括依次设置的第一P-I-N层、第二P-I-N层和第三P-I-N层,所述第一P-I-N层与所述TCO膜层相连接,所述第三P-I-N层与所述ITO层相连接。
作为优选,所述第一P-I-N层、所述第二P-I-N层及所述第三P-I-N层各自的光学带隙依次减小。
作为优选,所述ITO层和所述AZO层之间还设有与所述Ag金属层连接的Al金属层。
作为优选,所述Ag金属层及所述Al金属层设有多层,所述Ag金属层与所述Al金属层交替设置。
作为优选,所述TCO膜层为绒面膜层。
作为优选,所述Si基光电转换层为绒面层。
本实用新型的技术优点在于所述硅基薄膜太阳能电池的背电极结构构造简单、使用方便,既保证了较好的导电性,又具有较优良的透光性,对光能的利用率高。
附图说明
图1为本实用新型实施例的结构示意图;
图2为本实用新型实施例的又一结构示意图;
图3位本实用新型实施例的又一结构示意图;
图中编号对应的各部位名称分别为:1-玻璃衬底,2-TCO膜层,3-Si基光电转换层,31-第一P-I-N层,32-第二P-I-N层,33-第三P-I-N层,4-ITO层,5-Ag金属层,6-AZO层,7-Al金属层。
具体实施方式
下面将结合附图,通过具体实施例对本实用新型作进一步说明:
见图1,一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构,包括玻璃衬底1、设于玻璃衬底1上的TCO膜层2和设于TCO膜层2上的Si基光电转换层3,还包括设于Si基光电转换层3上ITO层4、设于ITO层4上的Ag金属层5和设于Ag金属层5上的AZO层6。ITO层将透过Si基光电转换层3的光反射回Si基光电转换层进行再吸收,增加电池的转换效率,其次在Si基光电转换层和AZO之间形成欧姆接触,同时阻止Ag金属层中的银离子向Si基光电转换层扩散;Ag层主要作用为保证背电极具有较好的导电性,提高电池的短路电流密度;AZO层能为背电极提供较好的导电性,同时有效保护Ag金属层。ITO层4的厚度为70~90nm。Ag金属层5的厚度为2~4nm。AZO层6的厚度为140~160nm。经申请人试验,在ITO层4选择80nm、Ag金属层5选择3nm、AZO层6选择150nm的组合配装下,能够使方阻为6.82Ω/口,透光率均值在61.2%左右,既满足较好的导电性,又能保持较高的透光性。TCO膜层2为绒面膜层,Si基光电转换层3为绒面层。见图2,ITO层4和AZO层6之间还设有与Ag金属层5连接的Al金属层7。见图3,Ag金属层5及Al金属层7设有多层,Ag金属层5与Al金属层7交替设置。Si基光电转换层3包括依次设置的第一P-I-N层31、第二P-I-N层32和第三P-I-N层33,第一P-I-N层31与TCO膜层2相连接,第三P-I-N层33与ITO层4相连接。第一P-I-N层31、第二P-I-N层32及第三P-I-N层33各自的光学带隙依次减小。绒面设置、多层金属层设置及多层Si基光电转换层3设置减少了光的反射和透射损失,并增加了光的传播路程,从而增加了光的吸收,提高光电转换效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的