[实用新型]用于检测由于辐射暴露而引起的劣化的装置

权利要求书

1.一种用于检测由于辐射暴露而引起的劣化的装置，其特征在于，包括：

信号监控器，其用于确定模拟电路中的半导体器件的电流；

电流和辐射相关器，其用于基于所述电流来确定所述半导体器件已被暴露于辐射的辐射量；

比较器，其用于将所述辐射量与辐射剂量阈值相比较；以及

报警管理器，其用于基于比较结果来指示所述半导体器件的劣化。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述报警管理器还用于向操作者工作站发送指示所述劣化的警报。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述报警管理器还用于基于所述比较结果来向操作者发送警告：所述劣化是可能的。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电流和辐射相关器使用与所述半导体器件相关联的辐射劣化曲线以确定所述辐射量。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述辐射劣化曲线定义所述辐射剂量阈值。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述辐射剂量阈值与在其处所述模拟电路劣化的辐射量相对应。

7.一种用于检测由于辐射暴露而引起的劣化的装置，其特征在于，包括：

半导体器件，所述半导体器件具有响应于辐射暴露的已知的劣化；以及

过程控制设备，所述过程控制设备用于：

监控所述半导体器件的供应电流；

将所述供应电流与辐射暴露的累积量进行关联；

将所述辐射暴露的量与从所述已知的劣化推导出的辐射剂量阈值相比较；以及

基于比较结果来向操作者工作站发送警报。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，还包括模拟电路，所述模拟电路包括所述半导体器件，所述半导体器件具有与所述半导体器件的所述辐射剂量阈值相等的劣化阈值。

9.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述半导体器件的所述已知的劣化遵循劣化曲线，其中，所述辐射剂量阈值由所述劣化曲线来定义。

10.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述已知的劣化将所述半导体器件的所述供应电流的减小与所述辐射暴露的累积量的增加进行关联。

11.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述过程控制设备被配置为基于所述比较结果来检测到所述半导体器件已劣化。

12.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述过程控制设备还被配置为检测所述辐射暴露的量接近所述辐射剂量阈值并且向所述操作者工作站发送警告。

13.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述半导体器件集成在所述过程控制设备中。

14.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述过程控制设备用于远程地监控所述半导体器件的所述电流。

15.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述半导体器件是抗辐射微功率双运算放大器。

16.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，还包括另外的半导体器件，所述另外的半导体器件具有响应于辐射暴露的已知的劣化。

17.一种用于检测由于辐射暴露而引起的劣化的装置，其特征在于，包括：

用于检测辐射暴露的单元；以及

用于确定劣化的单元，其用于确定由于辐射暴露而引起的半导体器件的劣化，所述用于确定劣化的单元还包括：

用于监控的单元，其用于监控与所述用于检测辐射暴露的单元相关联的参数；

用于比较的单元，其用于将所述参数与已知的劣化相比较，以确定所述劣化何时已达到了阈值；以及

用于发送的单元，其用于在所述劣化已达到了所述阈值时向操作者工作站发送报警。