[实用新型]一种电光Q开关

说明书

技术领域

本实用新型涉及脉冲激光调Q器件，具体涉及一种电光Q开关。

背景技术

电光调Q技术是利用在晶体上施加电压改变晶体的折射率，从而达到改变光的偏振态，与偏振片一起使用可实现光开关的作用。利用电光调Q技术的脉冲激光，脉宽窄，峰值功率高。

现有技术中，电光Q开关在高功率，高重复频率下使用时，晶体发热较大，温度上升，造成峰值功率降低，光束质量变差，半波电压变化，过大的温度上升甚至会对晶体造成破坏；而如何解决上述问题成为现有电光Q开关均需面临的，特别是如何提高电光Q开关的功率，降低其发热量成为最难以解决的问题。

发明内容

本实用新型针对现有技术存在的诸多不足之处，提供了一种电光Q开关，该开光包括圆筒形壳体，所述壳体内设置有方形晶体槽，所述晶体槽四面均设置有安装槽，所述壳体上设置有两个电极，所述电极穿透壳体与方形晶体槽连接；采用这种结构的电光Q开关，改变了现有技术中必须采用圆柱形晶体的现状，可以采用方形DKDP晶体，使得整个电光Q开关的能量等级提高，功率也得到了大幅提升，且解决了晶体散热的问题。

本实用新型的具体技术方案是：

一种电光Q开关，该开光包括圆筒形壳体，所述壳体内设置有方形晶体槽，所述方形晶体槽四面均设置有安装槽，所述壳体上设置有两个电极，所述电极穿透壳体与方形晶体槽连接；

所述的安装槽优选采用弧形安装槽；

现有技术中电光Q开关中一般均采用圆柱形DKDP晶体作为光电晶体，由于形状所限，其功率和能量等级已经难以得到提升，且由于圆柱形晶体与壳体接触面积过大，使用时其产生的大量热能会直接传到给壳体导致壳体寿命大大下降，不利于整个电光Q开关的散热，这也是现有技术难以克服的问题，而采用本实用新型提供的这种结构的电光Q开关，改变了现有技术中必须采用圆柱形晶体的现状，可以采用方形DKDP晶体，由于方形DKDP晶体的实际功率高于圆柱形晶体，从而使得整个电光Q开关的能量等级提高，功率也得到了大幅提升，提高了其适用范围且延长了电光Q开关的使用寿命；所述的方形晶体槽四面均设置有安装槽，这样就克服了方形晶体不易安装的问题，可以通过安装槽配合夹具等工具放置方形晶体，为了达到最好的效果安装槽优选采用弧形安装槽，这样在安装完毕之后，安装槽的存在降低了晶体与壳体的接触面积，同时安装槽更加有利于气体流通从而降低晶体的温度，这样就解决了晶体散热的问题；

在使用时，方形晶体必须通电，因此需在晶体外侧镀上一层镀金导电层，而所述壳体上设置有两个电极，所述电极穿透壳体与方形晶体槽连接，这样电极就可以与导电层电连接。

综上所述，采用这种结构的电光Q开关，改变了现有技术中必须采用圆柱形晶体的现状，可以采用方形DKDP晶体，使得整个电光Q开关的能量等级提高，功率也得到了大幅提升，且解决了晶体散热的问题。

附图说明

图1为本实用新型所述电光Q开关的结构示意图；

图2为本实用新型所述电光Q开关的俯视图；

图3为本实用新型所述电光Q开关的结构剖视图；

图中1为圆筒形壳体，2为电极，3为安装槽，4为方形晶体槽。

具体实施方式

一种电光Q开关，该开光包括圆筒形壳体1，所述壳体1内设置有方形晶体槽4，所述方形晶体槽4四面均设置有安装槽3，所述壳体1上设置有两个电极2，所述电极2穿透壳体1与方形晶体槽4连接；

所述的安装槽3优选采用弧形安装槽；

所述方形晶体槽4安装有方形DKDP晶体。