[实用新型]薄膜电池刻线宽度的测量系统有效
| 申请号： | 201620916162.4 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN206271665U | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 孙绍臻;戚运东;马海庆 | 申请（专利权）人： | 山东新华联新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 韩建伟,张永明 |
| 地址： | 252000 山东省聊城*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 电池 宽度 测量 系统 | ||
1.一种薄膜电池刻线宽度的测量系统，其特征在于，包括：机台、拍照装置和数据处理装置，其中，
所述机台，用于传输待检测薄膜电池的芯片至所述机台的待检测位置；
所述拍照装置，位于所述机台的所述待检测位置的上方，用于采集所述芯片的刻线图像；
所述数据处理装置，与所述拍照装置连接，用于获取所述刻线图像，并依据所述刻线图像计算所述芯片的刻线宽度。
2.根据权利要求1所述的测量系统，其特征在于，所述机台包括：传输装置和固定夹，其中，
所述固定夹，用于固定所述芯片；
所述传输装置，与所述固定架连接，用于将所述芯片传送至所述待检测位置。
3.根据权利要求2所述的测量系统，其特征在于，所述传输装置包括：滑轨或传送带。
4.根据权利要求1所述的测量系统，其特征在于，所述机台还包括：固定架，用于固定所述拍照装置。
5.根据权利要求1或4所述的测量系统，其特征在于，所述拍照装置的图像采集部对准所述待检测位置，用于采集位于所述待检测位置处的所述芯片的所述刻线图像。
6.根据权利要求5所述的测量系统，其特征在于，所述拍照装置，包括：携带电荷耦合元件CCD传感器的拍照设备或携带互补金属氧化物半导体CMOS传感器的拍照设备。
7.根据权利要求1所述的测量系统，其特征在于，所述测量系统还包括：补光设备，其中，
所述补光设备，用于对所述拍照装置提供光源补偿。
8.根据权利要求1所述的测量系统，其特征在于，所述测量系统还包括：数据传输线，其中，
所述数据传输线的输入端与所述拍照装置连接，所述数据传输线的输出端与所述数据处理装置连接，用于将所述拍照设备采集的所述刻线图像传输至所述数据处理装置。
9.根据权利要求1或8所述的测量系统，其特征在于，所述数据处理装置，用于依据预设程序对采集的所述刻线图像进行边缘检测，计算所述刻线图像中刻线的宽度。
10.根据权利要求9所述的测量系统，其特征在于，所述预设程序包括：矩阵试验MATLAB程序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
