[实用新型]单晶硅片清洗装置有效

专利信息
申请号: 201620933685.X 申请日: 2016-08-25
公开(公告)号: CN206271669U 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: 朱玲;朱汪龙;王兰 申请(专利权)人: 无锡乐东微电子有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 江苏英特东华律师事务所32229 代理人: 朱清韵
地址: 214135 江苏省无锡市无锡新区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 单晶硅 清洗 装置
【权利要求书】:

1.一种单晶硅片清洗装置,其特征在于,所述的装置包括烘烧箱、冷却箱和超声波振动箱,所述的烘烧箱上设置有开口,所述的开口连接有第一滑道,所述的第一滑道连接至冷却箱的一端,所述的冷却箱的另一端设置有第二滑道,所述的第二滑道连接至所述的超声波振动箱的一端。

2.根据权利要求1所述的单晶硅片清洗装置,其特征在于,所述的冷却箱的一端还设置有冷却水入口,所述的冷却箱的另一端还设置有冷却水出口,所述的冷却水入口与进水管相连接,所述的冷却水出口与排水管相连接,所述的进水管和排水管均连接至一储水箱。

3.根据权利要求1所述的单晶硅片清洗装置,其特征在于,所述的冷却箱的上端设置有喷淋装置,所述的冷却箱的下端设置有一排水口,所述的喷淋装置一端与进水管相连接,所述的排水口与排水管相连接,所述的进水管和排水管均连接至一储水箱。

4.根据权利要求1所述的单晶硅片清洗装置,其特征在于,所述的烘烧箱下端设置有加热盘。

5.根据权利要求1所述的单晶硅片清洗装置,其特征在于,所述的烘烧箱的上部设置有红外加热器。

6.根据权利要求1所述的单晶硅片清洗装置,其特征在于,所述的滑道为开放式的横截面为半圆形的管道。

7.根据权利要求1所述的单晶硅片清洗装置,其特征在于,所述的超声波振动箱下端设置有超声波振子。

8.根据权利要求1所述的单晶硅片清洗装置,其特征在于,所述的烘烧箱的开口上还设置有与所述的开口的形状相对应的门,所述的门的一侧与所述的烘烧箱通过铰链相连接,所述的门的另一侧与所述的烘烧箱通过开拆卸卡扣相连接。

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