[实用新型]单晶硅片清洗装置有效
申请号: | 201620933685.X | 申请日: | 2016-08-25 |
公开(公告)号: | CN206271669U | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 朱玲;朱汪龙;王兰 | 申请(专利权)人: | 无锡乐东微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 江苏英特东华律师事务所32229 | 代理人: | 朱清韵 |
地址: | 214135 江苏省无锡市无锡新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单晶硅 清洗 装置 | ||
1.一种单晶硅片清洗装置,其特征在于,所述的装置包括烘烧箱、冷却箱和超声波振动箱,所述的烘烧箱上设置有开口,所述的开口连接有第一滑道,所述的第一滑道连接至冷却箱的一端,所述的冷却箱的另一端设置有第二滑道,所述的第二滑道连接至所述的超声波振动箱的一端。
2.根据权利要求1所述的单晶硅片清洗装置,其特征在于,所述的冷却箱的一端还设置有冷却水入口,所述的冷却箱的另一端还设置有冷却水出口,所述的冷却水入口与进水管相连接,所述的冷却水出口与排水管相连接,所述的进水管和排水管均连接至一储水箱。
3.根据权利要求1所述的单晶硅片清洗装置,其特征在于,所述的冷却箱的上端设置有喷淋装置,所述的冷却箱的下端设置有一排水口,所述的喷淋装置一端与进水管相连接,所述的排水口与排水管相连接,所述的进水管和排水管均连接至一储水箱。
4.根据权利要求1所述的单晶硅片清洗装置,其特征在于,所述的烘烧箱下端设置有加热盘。
5.根据权利要求1所述的单晶硅片清洗装置,其特征在于,所述的烘烧箱的上部设置有红外加热器。
6.根据权利要求1所述的单晶硅片清洗装置,其特征在于,所述的滑道为开放式的横截面为半圆形的管道。
7.根据权利要求1所述的单晶硅片清洗装置,其特征在于,所述的超声波振动箱下端设置有超声波振子。
8.根据权利要求1所述的单晶硅片清洗装置,其特征在于,所述的烘烧箱的开口上还设置有与所述的开口的形状相对应的门,所述的门的一侧与所述的烘烧箱通过铰链相连接,所述的门的另一侧与所述的烘烧箱通过开拆卸卡扣相连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造